350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №2 за 2012 г.
Статья в номере:
Нанотехнология для наноэлектроники: формирование нанозазора в металлическом нанопроводе сфокусированным ионным пучком
Ключевые слова: наноэлектроника нанотехнология сфокусированный ионный пучок нанозазор наноэлектроды
Авторы:
И.В. Сапков - мл. науч. сотрудник, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: sterkul@gmail.com В.В. Колесов - к.т.н., ст. науч. сотрудник, зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: kvv@cplire.ru Е.С. Солдатов - ст. науч. сотрудник, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: esold@phys.msu.ru
Аннотация:
Разработан способ формирования нанозазора с использованием сфокусированного ионного пучка для создания молекулярных туннельных наноструктур. Показано, что использование сфокусированного ионного пучка позволяет получать необходимые геометрические параметры наноэлектродов, приемлемые для дальнейшего применения в планарной технологии по формированию системы «нависающих» электродов в туннельных наноструктурах.
Страницы: 4-12
Список источников
  1. Moore G.E. // Electronics Magazine. 1965. V. 38. № 8. P. 4.
  2. Ribes G.R., Roy M., D. Roux J.M. // IEEE International Conference on IC Design and Technology (ICICDT). 2008. P. 91.
  3. The International Technology Roadmap for Semiconductors. 2010.
  4. Tsu R. // Nanotechnology. 2001. V. 12. № 14. P. 625.
  5. Likharev K.K. // IBM Journal of Research and Development. 1988. V. 32. № 1. P. 144.
  6. Petty M. C. Molecular Electronics: From Principles to Practice. Chichester: John Wiley and Sons Ltd. 2007.
  7. Bumm L.A., Arnold J.J., Cygan M.T. et al. // Science. 1996. V. 271. P. 1705.
  8. Donhauser Z.J., Mantooth B.A., Kelly K.F. et al. // Science. 2001. V. 292. P. 2303.
  9. He J., Sankey O., Lee M., et al. // Faraday Discuss. 2006. V. 131. P. 145-154.
  10. Hines T., Diez-Perez I., Hihath J., et al. // Journal of American Chemical Society. 2010. V. 132. №33. P. 11658.
  11. Reed M.A., Zhou C., Muller C.J., Burgin T.P., Tour J.M. // Science. 1997. V. 278. № 5336. P. 252.
  12. Tao N.J. // Nature Nanotech. 2006. V. 1. P. 173.
  13. Park H., Lim A.K.L., Alivisatos A.P., Park J., McEuen P. L. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. № 12. P.301.
  14. Lambert M.F., Goffman M.F., Bourgoin J.P., Hesto P. // Nanotechnology. 2003. V. 14. № 7. P. 772.
  15. Prins F., Hayashi T., de Vos van Steenwijk B.J.A. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94.
  16. Strachan D.R., Smith D.E., Johnston D.E. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86.
  17. Kervennic Y.V., Vanmaekelbergh D., Kouwenhoven L.P., van der Zant H.S.J. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83.
  18. Fischbein M.D., Drndic´ M. // Nano Lett. 2007. V. 7. № 5. P. 1329.
  19. Blom T., Welch K., Strømme M., Coronel E., Leifer K. // Nanotechnology. 2007. V. 18.
  20. Xiang J., Liu B., Wu S.-T., et al. // Angewandte Chemie International Edition, 2005. V. 44. P. 1265.
  21. Sapkov I.V., Soldatov E.S., Elensky V.G. Method of creation of monomolecular transistor with overhanging electrodes (Proceedings Paper) // SPIE Proceedings. 2007. V. 7025.