350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №1 за 2010 г.
Статья в номере:
Управление процессом формирования и структурой тонких пленок. Ионно-стимулированные процессы
Ключевые слова: тонкие пленки ионное облучение адсорбция резонансная перезарядка точечные дефекты
Авторы:
М.Б.ГУСЕВА, В.Г. БАБАЕВ, В.В.ХВОСТОВ, Н.Ф. САВЧЕНКО Физический факультет МГУ им. М.В.Ломоносова E-mail: n.f.savchenko@gmail.com
Аннотация:
Проведены количественные исследования процесса формирования тонких пленок в условиях облучения медленными ионами инертных газов, и установлены закономерности влияния параметров ионного облучения на структуру и рост тонких пленок. Созданы физические основы ионной технологии пленочных материалов с заданной структурой и свойствами, безмасочного управления геометрией (рисунком) тонких слоев.
Страницы: 15-28
Список источников
  1. Динс Дж., Виниард Дж. Радиационные дефекты в твердых телах. М.: Из-во иностр. лит. 1960. С. 40.
  2. Бабаев В.Г., Гусева М.Б. Адсорбция паров металлов в условиях ионного облучения // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1973. Т. 37. № 1. С. 2596 - 2601.
  3. Howard R.E., Smoluchovski R. // Phys.Rev. 1959. V. 116. P. 314.
  4. Быков Ю.В., Бабаев В.Г., Гусева М.Б. Термостимулированная экзоэмиссия и рост тонких пленок // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. №12.С. 722 - 725.
  5. Martenez V. J. // J. of Electron. Spectrosc. 1979. V. 17. P. 33.
  6. Khvostov V.V., Guseva M.B., Babaev V.G. Electronic Structure of Alcali Halide Surfaces upon ion irradiation. // Rad. Effects. 1989. V.7. N. 2 - 4. P. 175 - 183.
  7. Saile V., Skibovski M., Steimann W. et al. Observation of surface exitons in rare-gas solids. // Phys.Rev.Lett. 1976. V.37. N. 5. P. 305 - 388.
  8. БабаевВ. Г., ГусеваМ. Б., ХвостовВ. В.Образованиеточечныхдефектовнаповерхности NaCl приоблучениимедленнымиионами // Вестник Московского Университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. 1989. Т. 30. № 6. С. 53 - 57.
  9. Гусева М.Б., Бабаев В.Г., Хвостов В.В.Ионно-стимули­рованные процессы на поверхности твердого тела // Поверхность. Рентгеновские, синхротронныеинейтронныеисследования. 2007. №12.С. 33 - 46.
  10. Greene J.E., MotookaТ., Sundgren J.-E. et. al. A review of the present understanding of the role of ion-surface interactions and photo-induced reactions during vapor-phase crystal growth // J.Cryst.Growth. 1986. V.79. N.1. P. 19 - 32.
  11. Gauterin G., Weissmantel C.  Some trends in preparing film structures by ion beam methods // Thin Solid Films. 1978. V.50. N.1. P. 135 - 144.
  12. Weissmantel С., Bewilogua К., Dietrich et.al. Structure and properties of quasi-amorphous films prepared by ion beam techniques // Thin Solid Films. 1980. V. 72. N.1. P.19 - 31.
  13. Быков Ю.В., Гусева М.Б. Эпитаксиальный рост пленок сурьмы в условиях ионного облучения // Письма в ЖТФ. 1975. Т.1. №.10. С. 485 - 487.
  14. Гусева М.Б., Бабаев В.Г., Быков Ю.В. и др. Исследование экзоэлектронной эмиссии с ионных кристаллов, облученных ионами // Деп. рук. ВИНИТИ. 1985. № 1462-85.