350 rub
Journal Nanotechnology : the development , application - XXI Century №1 for 2010 г.
Article in number:
Controlled Formation Process and Structure of thin Films. Ion-Assisted Processes
Keywords: thin films ion irradiation adsorption charge exchange point defects
Authors:
M.B. Guseva, V.G. Babaev, Khvostov V.V., Savchenko N.F.
Abstract:
The quantitative investigations of thin films formation by low energy ion assisted process were carried out. Influence of ion irradiation parameters on the thin films structure and their growth was detected. Physical foundations of thin films ion beam technology with predefined structure and properties were created.
Pages: 15-28
References
  1. Динс Дж., Виниард Дж. Радиационные дефекты в твердых телах. М.: Из-во иностр. лит. 1960. С. 40.
  2. Бабаев В.Г., Гусева М.Б. Адсорбция паров металлов в условиях ионного облучения // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1973. Т. 37. № 1. С. 2596 - 2601.
  3. Howard R.E., Smoluchovski R. // Phys.Rev. 1959. V. 116. P. 314.
  4. Быков Ю.В., Бабаев В.Г., Гусева М.Б. Термостимулированная экзоэмиссия и рост тонких пленок // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. №12.С. 722 - 725.
  5. Martenez V. J. // J. of Electron. Spectrosc. 1979. V. 17. P. 33.
  6. Khvostov V.V., Guseva M.B., Babaev V.G. Electronic Structure of Alcali Halide Surfaces upon ion irradiation. // Rad. Effects. 1989. V.7. N. 2 - 4. P. 175 - 183.
  7. Saile V., Skibovski M., Steimann W. et al. Observation of surface exitons in rare-gas solids. // Phys.Rev.Lett. 1976. V.37. N. 5. P. 305 - 388.
  8. БабаевВ. Г., ГусеваМ. Б., ХвостовВ. В.Образованиеточечныхдефектовнаповерхности NaCl приоблучениимедленнымиионами // Вестник Московского Университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. 1989. Т. 30. № 6. С. 53 - 57.
  9. Гусева М.Б., Бабаев В.Г., Хвостов В.В.Ионно-стимули­рованные процессы на поверхности твердого тела // Поверхность. Рентгеновские, синхротронныеинейтронныеисследования. 2007. №12.С. 33 - 46.
  10. Greene J.E., MotookaТ., Sundgren J.-E. et. al. A review of the present understanding of the role of ion-surface interactions and photo-induced reactions during vapor-phase crystal growth // J.Cryst.Growth. 1986. V.79. N.1. P. 19 - 32.
  11. Gauterin G., Weissmantel C.  Some trends in preparing film structures by ion beam methods // Thin Solid Films. 1978. V.50. N.1. P. 135 - 144.
  12. Weissmantel С., Bewilogua К., Dietrich et.al. Structure and properties of quasi-amorphous films prepared by ion beam techniques // Thin Solid Films. 1980. V. 72. N.1. P.19 - 31.
  13. Быков Ю.В., Гусева М.Б. Эпитаксиальный рост пленок сурьмы в условиях ионного облучения // Письма в ЖТФ. 1975. Т.1. №.10. С. 485 - 487.
  14. Гусева М.Б., Бабаев В.Г., Быков Ю.В. и др. Исследование экзоэлектронной эмиссии с ионных кристаллов, облученных ионами // Деп. рук. ВИНИТИ. 1985. № 1462-85.