350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №2 за 2016 г.
Статья в номере:
Моделирование методом передаточных матриц туннельных преобразователей наноразмерных перемещений
Ключевые слова: численное моделирование передаточные матрицы наноперемещение туннельный эффект туннельный преобразователь
Авторы:
Н.К. Приступчик - к.т.н., доцент, Южный федеральный университет (г. Таганрог). Е-mail: nkpristupchik@sfedu.ru
Аннотация:
Рассмотрена методика численного моделирования туннельных преобразователей для наноэлектромеханических систем с использованием передаточных матриц для моделирования туннельного эффекта. Получено выражение, представляющее собой численный аналог известной формулы для расчета плотности туннельного тока в сверх-решетках.
Страницы: 3-7
Список источников

 

  1. Балан Н.Н., Ивашов Е.Н., Лучников П.А., Невский А.Б.Технологические особенности формирования катодных узлов автоэмиссионных и туннельных нано- и микроприборов // Наноматериалы и наноструктуры - ХХI век. 2012. № 2. Т. 3. C. 35-43.
  2. Балан Н.Н., Ивашов Е.Н., Лучников П.А., Невский А.Б. Острийные эмиттеры электронов микроприборов и конструктивно-технологические особенности их изготовления // Электронный научный журнал «Вестник науки Сибири». 2012. № 3(4). С. 89-98. http://sjs.tpu.ru/journal/issue/archive.
  3. Коноплев Б.Г., Приступчик Н.К., Рындин Е.А. Метод моделирования преобразователей перемещения на основе туннельного эффекта // Вестник ЮНЦ РАН. 2012. № 4. С. 20-26.
  4. Патент № 153527 U1 (РФ).Устройство записи информации на диэлектрическом носителе / А.С. Вишневский, П.А. Лучников, А.А. Назаренко.
  5. Monsoriu J.A., Villatoro F.R., Marin M.J., Urchueguia J.F., Cordoba P.F. A transfer matrix method for the analysis of fractal quantum potentials // European Journal of Physics. 2005. V. 26. P. 603-610.
  6. Tsu R., Esaki L. Tunneling in a finite superlattice // Applied Physics Letters. 1973. V. 22. Р. 562-564.
  7.  Bloor D., Donnely K., Hands P.J., Laughlin P., Lussey D. A metal-polymer composite with unusual properties // Journal of Physics D: Applied Physics. 2005. V. 38. Р. 2851-2860.