350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №2 за 2013 г.
Статья в номере:
Формирование и структура покрытий сульфида цинка, нанесенных при электронно-лучевом испарении компонентов
Ключевые слова: сульфид цинка электронно-лучевое испарение структура покрытие сульфид меди сера цинк
Авторы:
М.А. Ярмоленко - к.т.н., ст. науч. сотрудник, Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины (Беларусь). Е-mail: simmak79@mail.ru А.А. Рогачев - к.т.н., ст. науч. сотрудник, Белорусский государственный университет транспорта (г. Гомель, Беларусь). Е-mail: rogachevfv@mail.ru А.В. Рогачев - чл.-корр. НАНБ, д.х.н., профессор, ректор, Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины (Беларусь). Е-mail: rogachevav@mail.ru Д.Л. Горбачёв - науч. сотрудник, Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины (Беларусь). Е-mail: dgorbachev@list.ru
Аннотация:
Рассмотрены особенности химического состава и структуры покрытий, осажденных электронно-лучевым испарением дисперсной смеси серы и цинка. Покрытия характеризуются высокой химической и структурной однородностью. Температурные воздействия на осаждаемое покрытие способствует образованию более крупных зерен структурных образований размером более 30 нм и особенно в тонких слоях.
Страницы: 22-28
Список источников

  1. Корсаков В.Г., Сычев М.М., Бахметьев В.В. Синтез и свойства нанодисперсных полупроводников А2В6 и нанолюминофоров. Обзор // Конденсированные среды и межфазные границы. 2012. Т. 14. № 1. С. 41-52.
  2. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники: Учеб. для вузов по спец. электронной техники. 3-е изд. С-Пб.:Лань. 2001. 368 с.
  3. Бобренко Ю.Н., Ярошенко Н.В., Шереметова Г.И. и др.Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2009. № 5. С. 29-31.
  4. Крылов П.Н., Гильмутдинов Ф.З., Романов Э.А. и др.Влияние термоотжига на оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида цинка // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. Вып. 11. С. 1571-1575.
  5. Alloucheet N. K., Nasr T. B., Kamoun N.T., Guasch C.  Synthesis and properties of chemical bathdeposited ZnS multilayer films / // Materials Chemistry and Physics. 2010. V. 123. P. 620-624.
  6. Караксина Э.В., Грачева Т.А., Шеваренков Д.Н. Структурные дефекты в ZnS, полученном методом CVD // Неорганические материалы. 2010. Т. 46. № 1. С. 11-16.
  7. СамофаловаТ.В.Осаждение и свойства пленок твердых растворов системы CdS - ZnSиз тиомочевинных координационных: Автореф. дисс. - канд. хим. наук. 02.00.21 Воронеж: ВГУ, 2011. 17 с.
  8. Свечников С.В. и др Люминесцирующие пленки ZnS:Cu, полученные химическим методом // Физика и техника полупроводников. 2000. Т.34. Вып. 10. С. 1178-1182.
  9. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н. Влияние морфологии поверхности пленок ZnS:Mn2+на кинетику люминесценции ионов марганца // Неорганические материалы. 2011. Т. 47. № 2. С. 146-151.
  10. Самохвалов М.К., Тахтенкова М.О. Вольт-яркостные характеристики люминесцентных пленок ZnS:Mn // Известия вузов. Электроника. 2009. № 5(79). С. 3-6.
  11. Ловшенко Ф.Г., Пантелеенко Ф.И., Рогачев А.В. и др. Новые ресурсосберегающие технологии и композиционные материалы. М.: Энергоатомиздат; Гомель: БелГУТ. 2004. 519 с.
  12. BijoyBarman, K.C.SarmaLuminescencepropertiesofZnSquantumdotsembeddedinpolymermatrix // ChalcogenideLetters. 2011. V. 8. № 3.  Р. 171-176.
  13. Bhattacharjeeet B. al. Synthesis and characterization of sol-gel derived ZnS:Mn2+nanocrystallites embedded in a silica matrix // Bull. Mater.Sci. 2002. V. 25. №. 3. Р. 175-180.
  14. Хайрутдинов Р.Ф.Химия полупроводниковых наночастиц // Успехи химии. 1998. Т. 67 (2). С. 125-139.
  15. Романов Э.А.Нанокристаллические пленки сульфида и селенида цинка для тонкопленочных электролюминесцентных источников: Дисс. - канд. физ.-мат. наук. 01.04.01, 01.04.07. Ижевск: УдГУ, 2011. 151 с.
  16. Самофалова Т.В., Метелева Ю.В., Наумов А.В. и др., Свойства пленок системы CdS - ZnS, осажденных из смешанных тиомочевинных координационных соединений // Конденсированные среды и межфазные границы. 2007. Т. 9. № 2. С. 152-155.
  17. GödeF. et al. Influence of annealing temperature on the structural, optical and electrical properties of amorphous Zinc Sulfide thin films // Journal of Physics: Conference Series 2011. 326. 012020 doi:10.1088/1742-6596/326/1/012020.
  18. Химическая энциклопедия: В 5 т.: т.3: Меди - Полимерные / Редкол.: Кнунянц И.Л. (гл. ред.) и др. М.: Большая Российская энцикл. 1992. 639 с.
  19. YixinZhao, HongchengPan, YongbingLou, XiaofengQiu, JunJieZhu, ClemensBurdaPlasmonicCu2-xSNanocrystals: OpticalandStructuralPropertiesofCopper-DeficientCopper(I) Sulfides // J.AM. CHEM. SOC. 2009. V. 131. № 12. P. 4253-4261.
  20. Yang Jian-guang et al, Synthesis of ultrafine copper particles by complex-reduction-extraction method // Trans. Nonferrous Met. Soc. China. 2007. 17. P. 1181-1185.
  21. Blachnik R., Müller A. The formation of Cu2S from the elementsI. Copper used in form of powders // ThermochimicaActa. 2000. V. 361. P. 31-52.
  22. Degtyareva O., Gregoryanz E., Mao H.K., Hemley R.J. Crystal structure of sulfur and selenium at pressures up to 160 GPa // High Pressure Research. 2005. V. 25. № 1. P. 17-33.
  23. Anukorn Phuruangrat, Titipun Thongtem, Somchai ThongtemChalcogenide Characterization of copper sulfide hexananoplates, and nanoparticles synthesized by a sonochemical method // Letters. 2011. V. 8. №. 4. P. 291-295.
  24. Annie Freeda M., Rode Madhav N., Mahadevan C.K., Ramalingom S.Synthesis and characterization of nano-structured materials CuS(Covellite) for their applications // Nanotechnology and Nanoscience. 2010. V. 1. Issue 1. P. 4-7.
  25. Chang-Qing Zhu et al. Facile Phosphine-Free Synthesis of CdSe/ZnS Core/Shell Nanocrystals Without Precursor Injection // Nanoscale Res Lett. 2008. V. 3. P. 213-220.
  26. Zhao Y. et al.Microwave-assistedself-assembledZnSnanoballs/ Yu Zhao, J.-M.Hong, J.-J. Zhu // Journal of Crystal Growth. 2004. 270. P. 438-445.
  27. Bäret M. al. Formation of a ZnS/Zn (S,O) bilayer buffer on CuInS2 thin film solar cellabsorbers by chemical bath deposition // Journal of applied physics. 2006. V. 99. Р. 123503.