350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №2 за 2012 г.
Статья в номере:
Гистерезисное магнетоcопротивление в устройстве магнитной памяти, управляемой давлением
Ключевые слова: магнетосопротивление магнитная память давление мультиферроики
Авторы:
Y. Dusch - IEMN, UMR CNRS 8520, PRES Lille Nord de France, ECLille, 59651 Villeneuve d-Ascq, France. E-mail: yannick.dusch@centraliens-lille.org V. Rudenko - Wave Research Center, GPI RAS, 38 Vavilov str., Moscow, 119991, Russia. E-mail: yannick.dusch@centraliens-lille.org N. Tiercelin - V.A. Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, 125009 Moscow, Russia. E-mail: nicolas.tiercelin@iemn.univ-lille1.fr S. Giordano - IEMN, UMR CNRS 8520, PRES Lille Nord de France, ECLille, 59651 Villeneuve d-Ascq, France. E-mail: yannick.dusch@centraliens-lille.org V. Preobrazhensky - IEMN, UMR CNRS 8520, PRES Lille Nord de France, ECLille, 59651 Villeneuve d-Ascq, France. E-mail: yannick.dusch@centraliens-lille.org P. Pernod - IEMN, UMR CNRS 8520, PRES Lille Nord de France, ECLille, 59651 Villeneuve d-Ascq, France. E-mail: yannick.dusch@centraliens-lille.org
Аннотация:
Представлена концепция записи данных в устройствах памяти, основанных на спин-реориентационных переходах в магнето¬резистивных пленках или мультиферроиках, управляемых давлением. Неразрушающее считывание информации осуществляется на основе эффекта шгантского магнетосопротивления. Принцип считывания продемонстрирован экспериментально на управляемой давлением слоистой наноструктуре.
Страницы: 44-50
Список источников
  1. Barthelemy A., Fert A. // Nat Mater. 2007. V. 6. P. 296.
  2. Borisov P., Hochstrat A., Chen X., Kleemann W., Binek C.// Phys. Rev. Lett. 2005. V. 94. Р. 117203.
  3. Boomgaard J, Run A. // Solid State Communications. 1976. V. 19. Р. 405.
  4. Roy K., Bandyopadhyay S., Atulasimha J. // Phys. Rev. 2011. V. B 83. Р. 224412.
  5. Overby M., Chernyshov A., Rokhinson L.P., Liu X., Furdyna J.K. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. Р. 192501.
  6. Novosad V., Otani Y., Ohsawa A., Kim S. G., Fukamichi K., Koike J., Maruyama K., Kitakami O., Shimada Y. // Journal of Applied Physics, Journal of Applied Physics. 2000. V. 87. Р. 6400.
  7. Tiercelin N., Dusch Y., Preobrazhensky V., Pernod P. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 07D726.
  8. Tiercelin N., Dusch Y., Preobrazhensky V., Pernod P. Mémoire magnétoélectrique. Brevet accepté FR2961632 (A1).
  9. Giordano S., Dusch Y., Tiercelin N., Talbi A., BouMatar O., Aleshin V., Merlen A., Preobrazhensky V.,Pernod P. // in 20eme Congrès Français de Mécanique. 2011. Besançon. 29 août au 2 septembre 2011.
  10. Giordano S., Dusch Y., Tiercelin N., Pernod P., Preobrazhensky V. // Phys. 2012. Rev. B. V. 85, P. 155321.
  11. Dusch Y., Tiercelin N., Giordano S., Preobrazhensky V., Pernod P. // IEEE Transactions on Magnetics. 2012.
  12. Tiercelin N., Dusch Y., Preobrazhensky V., Pernod P. // Nanomaterials and nanostructures 2011. V. 2. P. 16.
  13. Dusch Y., Tiercelin N., Klimov A., Rudenko V., Ignatov Y., Hage-Ali S., Pernod P., Preobrazhensky V. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 07A720.
  14. Dusch Y., Tiercelin N., Klimov A., Rudenko V., Ignatov Y., Hage-Ali S., Pernod P., Preobrazhensky V. // Nanomaterials and nanostructures. 2011. V. 1. P. 35.
  15. Lohndorf M., Duenas T., Tewes M., Quandt E., Ruhrig M., Wecker J. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81, P. 313.
  16. Lohndorf M., Duenas T., Ludwig A., Ruhrig M., Wecker J., Burgler D., Grunberg P., Quandt E. // Magnetics, IEEE Transactions on. 2002. V. 38. P. 2826.
  17. Tiercelin N., BenYoussef J., Preobrazhensky V., Pernod P., Gall H.L. // Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2002. V. 249. P. 519.
  18. BenYoussef J., Tiercelin N., Petit F., Gall H.L., Preobrazhensky V., Pernod P. // Magnetics, IEEE Transactions on, Magnetics. 2002. V. 38. P. 2817.
  19. Tiercelin N., Preobrazhensky V., Pernod P., Gall H.L., BenYoussef J. // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2000. V. 210. P. 302.
  20. Tiercelin N., Preobrazhensky V., Pernod P., Masson S., BenYoussef J., Gall H.L. // Mécanique & Industries. 2003. V. 4, P. 169.