350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №2 за 2012 г.
Статья в номере:
Особенности проектирования фотошаблонов для производства наноразмерных полупроводниковых СБИС
Ключевые слова: наноэлектроника технология проектирования сбис фотошаблоны оптическая коррекция литография
Авторы:
А.В. Корнюхин - вед. специалист, ЗАО «СКАН». E-mail: a.kornuhin@scanru.ru С.А. Курдюков - зам. генерального директора, ЗАО «СКАН». E-mail: sergey@scanru.ru А.Н. Ланцев - генеральный директор, ЗАО «СКАН». E-mail: lan@scanru.ru М.В. Старилов - начальник отдела, ЗАО «СКАН». E-mail: mikhail@scanru.ru
Аннотация:
Рассмотрены вопросы технологии проектирования фотошаблонов для производства наноразмерных структур СБИС с применением средств САПР; рассмотрены методы повышения разрешающей способности фотошаблонов, сформированы критерии оценки качества и производительности процесса проектирования фотошаблонов.
Страницы: 26-35
Список источников
  1. Levinson H. J. Principles of lithography // SPIE. 2005.
  2. Nishi Y., Doering R. Handbook of Semiconductor manufacturing technology. Marcel Decker Inc. 2000.
  3. Kaeslin H. Digital Integrated Circuits: From VLSI Architectures to CMOS Fabrication. Cambridge University Press, 2008.
  4. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) reports. 2000-2007.
  5. Cui Z. Nanofabrication: Principles, Capabilities and Limits. Springer Science. 2008. Р. 218-225.
  6. Jaeger R.C. Lithography. Introduction to Microelectronic Fabrication. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002.
  7. Liebmann L.W. Layout Impact of Resolution Enhancement Techniques, SemiconductorResearch and Development Center // IBM Corporation. 2003. Р. 110-117.