350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №2 за 2012 г.
Статья в номере:
Особенности электрофизических свойств нанопористых силикатных пленок
Ключевые слова: золь-гель метод центрифугирование пористая структура диэлектрическая проницаемость показатель преломления пороген поверхностно активное вещество
Авторы:
А.С. Вишневский - к.т.н, ст. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: vishnevskiy@mirea.ru П.П. Лавров - студент, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: elvis_zhiv@mail.ru Д.С. Серегин - к.т.н, ст. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: d_seregin@mirea.ru
Аннотация:
Исследована взаимосвязь процесса модификации метильными группами тонких нанопористых силикатных пленок с особенностями их электрофизических свойств. На основе результатов измерения диэлектрической проницаемости и показателя преломления представлена эффективность формирования пористой структуры в метил-модифици-рованных пленках с помощью поверхностно активного вещества Brij-30. Формирование нанопористой структуры обсуждается с учетом данных эллипсометрических исследований.
Страницы: 13-20
Список источников
  1. Baklanov M.R., Maex K. Porous low dielectric constant materials for microelectronics // Philosophical Transactions of The Royal Society Series A. 2006. V. 364. № 1838. P. 201-215.
  2. Jeong H.-K., Chandrasekharan R., Chu K.-L. et al. Rapid thermal processing of mesoporous silica films: a simple method to fabricate films micrometers thick for microelectromechanical systems (MEMS) applications // Industrial and Engineering Chemistry Research. 2005. V. 44/ P. 8933-8937.
  3. Gacoin T., Besson S., Boilot J.P. Organized mesoporous silica films as templates for the elaboration of organized nanoparticle networks // Journal of Physics: Condensed Matter. 2006. V. 18. P. S85-S95.
  4. Semiconductor Industrial Association. The International Technology Roadmap For Semiconductors // http://www.itrs.net/reports.html
  5. Whitesell H.,Hollar E., Yim K.S., et al. Nano-porous dielectrics and copper barriers for 28nm and below // Solid State Technology. 2011. V. 54. № 5. P. 12-14.
  6. Jousseaume V., Cornec C., Ciaramella F., et al.PECVD versus spin-on to perform porous ULK for advanced interconnects: chemical composition, porosity and mechanical behavior // Materials Research Society Symposium Proceeding. 2006. V. 914. P. 0914-F04-06.
  7. Hatton B.D., Landskron K. et al. Materials chemistry for low-k materials // Materials Today. 2006. V. 9, № 3. P. 22-31.
  8. Favennec L., Jousseaume V., Rouessac V., et al.Ultra low k PECVD porogen approach: matrix precursors comparison and porogen removal treatment study // Materials Research Society Symposium Proceeding. 2005. V. 863. P. B.3.2.1-B.3.2.6.
  9. Gates S., Neumayer D., Sherwood M., et al. Preparation and structure of porous dielectrics by plasma enhanced chemical vapor deposition // Journal of applied physics. 2007. V. 101. P. 094103-094103-8.
  10. Grill A., Patel V., Gates S. Multiphase low dielectric constant material // Патент США № 6,312,793 B1. 2001.
  11. Favennec L., Jousseaume V., Rouessac V., et al. Porous extreme low k (ELk) dielectrics using a PECVD porogen approach // Materials Science in Semiconductor Processing. 2004. V. 7. P. 277-282.
  12. Han S.-S., Bae B.-S. Deposition of fluorinated amorphous carbon thin films with low dielectric constant and thermal stability // Materials Research Society Symposium Proceeding. 2000. V. 612. P. D.5.6.1-D.5.6.7.
  13. Siew Y.K., Sarkar G., Hu X., et al. Low dielectric constant porous silsesquioxane films: effect of thermal treatment // Materials Research Society Symposium Proceedings. 2000. V. 612, P. D5.15.1-D5.15.6.
  14. Nguyen C.V., Carter K.R., Hawker C.J., et al. Low-dielectric, nanoporous organosilicate films prepared via in organic/organic polymer hybrid templates // Chemistry of Materials. 1999. V. 11. P. 3080-3085.
  15. Kohl A.T., Mimna R., Shick R., Rhodes L., Wang Z.L, Kohla P.A. Low k, porous methyl silsesquioxane and spin-on-glass // Electrochemical and Solid-State Letters. 1999. V. 2. № 2. P. 77-79.
  16. Lee B., Park Y., et al. Ultra low - nanoporous organosilicate dielectric films imprinted with dendric spheres // Nature Materials. 2005. V. 4. P. 147-151.
  17. Yim J.-H. Functional polymers for semiconductor applications // http://www.cheric.org/ippage/e/ipdata/2006/01/file/e200601-601.pdf
  18. Grosso D., Cagnol F. et al. Fundamentals of mesostructuring through evaporation-induced self-assembly // Advanced Functional Materials. 2004. V. 14. № 4. P. 309-322.
  19. Sanchez C., Boissière C., Grosso D., et al. Design, synthesis, and properties of inorganic and hybrid thin films having periodically organized nanoporosity // Chemistry of Materials. 2008. V. 20. P. 682-737.
  20. Theije F.K., Balkenende A.R., Verheijen M.A., Bakla-nov M.R., Mogilnikov K.P., Furukawa Y. Structural characterization of mesoporous organosilica films for ultralow-k dielectrics // Physical Chemistry B. 2003. V. 107. P. 4280-4289.
  21. Matheron M., et al. Highly ordered CTAB-templated organosilicate films // Materials Chemistry. 2005. V. 15. P. 4741-4745.
  22. Jousseaume V., Favennec L., Zenasni A., Gourhant O. Porous ultra low k deposited by PECVD: from deposition to material properties // Surface and Coatings Technology. 2007. V. 201. P. 9248-9251.
  23. Васильев В.А., Серегин Д.С., Воротилов К.А. Нанопористые силикатные пленки, сформированные золь-гель методом // Наноматериалы и наноструктуры. 2011. T. 2. № 3. C. 34-42.
  24. Фрелих Г. Теория диэлектриков: пер. с англ. М.: И.Л., 1960.