350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №1 за 2019 г.
Статья в номере:
Реализация структуры чувствительного элемента Холла
Тип статьи: научная статья
DOI: DOI: 10.18127/j15604128-201901-07
УДК: УДК 621.382
Авторы:

В.И. Гусев – ген. директор ООО «МАГНИТЭКС СПБ» (Санкт-Петербург)
E-mail: magnitex1@yandex.ru
Аунг Чжо Чжо – аспирант, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
E-mail: akkyaw.bmstu.50@gmail.com
О.Ю. Егорова – студентка, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
E-mail: oksana.egorova95@yandex.ru
В.С. Зайончковский – к.ф.-м.н., доцент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: vz48@post.ru
В.В. Парамонов – к.х.н., доцент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: victorparamonov@yandex.ru

Аннотация:

Разработан технологический процесс изготовления кристаллов преобразователя Холла на основе эпитаксиальных гетероструктур InSb/GaAs. 
Оптимизированы параметры процессов формирования топологии кристаллов с применением процессов вакуумного напыления и гальванического осаждения металлов. 
Достигнуты параметры контактных слоев меди, отвечающие требованиям операций сборки приборов.

Страницы: 37-51
Список источников
  1. Игуменов В.Т, Константинов В.М., Парамонов В.В. Полупроводниковые магниторезисторы на основе антимонида индия с магнитомягкими концентраторами магнитного потока // Материалы Междунар. НТК «Intermatic-2003». 9−12 июня 2003 г., Москва. М.: МГИРЭА. 2003. С. 202−203.
  2. Durov S., Mironov O.A., Mironov M., Igumenov V.T., Konstantinov V.M., Paramonov V.V., Whall T.E. Hooge mobility fluctuations of n-InSb magnetoresistors as a reference for accsess resistance LF-noise measurements of SiGe metamorphic HMOS FETs // Advanced Research Workshop. 14−16 August 2003. Brno. Czech Republic.
  3. Пат. РФ № 2054757 публикация патента: 20.02.1996. Гальваномагнитный преобразователь. Игуменов В.Т., Константинов В.М., Масюкова Г.В.
  4. Ковенский И.М., Поветкин В.В. Металловедение покрытий: Учебник для вузов. М.: «СПИ нтермет Инжиниринг». 1999. 296 с.
  5. https://zctc.ru/sections/cooper.
Дата поступления: 24 декабря 2018 г.