350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №7 за 2016 г.
Статья в номере:
Аппаратная реализация метода накачки заряда
Ключевые слова: накачка заряда подзатворный диэлектрик МДП-транзистор экспериментальная установка
Авторы:
В.Е. Драч - к.т.н., доцент, кафедра «Конструирование и производство электронной аппаратуры», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: drach@kaluga.org А.В. Родионов - к.т.н., доцент, кафедра «Компьютерные системы и сети», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: andviro@gmail.com И.В. Чухраев - к.т.н., доцент, зав. кафедрой «Компьютерные системы и сети», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: igor.chukhraev@mail.ru
Аннотация:
Отмечено, что основным сдерживающим фактором применения метода накачки заряда для субмикронной КМОП-технологии становится чувствительность оборудования, применяемого для построения экспериментальной установки. Предложена аппаратная реализация метода накачки заряда и приведена структурная схема экспериментальной установки, позволяющей исследовать и контролировать электрофизические характеристики подзатворного диэлектрика субмикронных МДП-транзисторов.
Страницы: 72-75
Список источников

 

  1. Brugler J.S., Jespers P.G.A. Charge pumping in MOS devices // IEEE Transactions on Electron Devices. 1969. V. 16. № 3. P. 297−302.
  2. Драч В.Е., Чухраев И.В. Методика мониторинга генерации заряда в наноразмерном диэлектрике МДП-транзистора // Наука и образование: научное издание МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2012. № 2. С. 53.
  3. Baklanov M., Green M., Maex K. Dielectric Films for Advanced Microelectronics. Chichester: Wiley. 2007. 426 p.
  4. Драч В.Е., Родионов А.В., Чухраев И.В. Метод накачки заряда для исследования подзатворного диэлектрика наноразмерной толщины // Вопросы радиоэлектроники. 2016. № 2. С. 71−76.
  5. Драч В.Е., Смирнова О.М., Чухраев И.В. Генерация заряда в транзисторах с наноразмерным диэлектриком // Вопросы радиоэлектроники. 2012. Т. 1. № 3. С. 115−122.
  6. Groeseneken G., Maes H.E. Basics and applications of charge pumping in submicron MOSFETs // Microelectronics Reliability. 1998. V. 38. № 9. P. 1379−1389.
  7. Viswanathan С.R., Rao V.R. Application of charge pumping technique for sub-micron MOSFET characterization // Microelectronic Engineering. 1998. V. 40. P. 131−146.
  8. Kerber A., Cartier E., Pantisano L., Degraeve R., Groeseneken G., Maes H.E., Schwalke U. Charge trapping in SiO2/HfO2 gate dielectrics: comparison between charge-pumping and pulsed ID-VG // Microelectronic Engineering. 2004. V. 72. P. 267−272.
  9. Орешков М.В., Солдатов В.С. Измерительный комплекс электрофизических методов для углубленного анализа субмикронной комплементарной технологии // Вестник МЭИ. 2012. № 1. С. 102−107.
  10. Heremans P., Witters J., Groeseneken G., Maes H.E. Analysis of the charge pumping technique and its application for the evaluation of MOSFET degradation // IEEE Transactions on Electron Devices. 1989. V. 36. № 7. P. 1318−1335.
  11. Groeseneken G., Maes H.E., Beltran N., De Keersmaecker P.F. A reliable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors // IEEE Transactions on Electron Devices. 1984. V. 31. № 1. P. 42−53.
  12. Sahhaf S., Degraeve R., Cho M., De Brabanter K., Roussel Ph.J., Zahid M.B., Groeseneken G. Detailed analysis of charge pumping and IdVg hysteresis for profiling traps in SiO2 /HfSiO(N) // Microelectronic Engineering. 2010. V. 87. P. 2614−2619.