350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №4 за 2014 г.
Статья в номере:
Исследование влияния температуры на удельное сопротивление подложек карбида кремния
Ключевые слова: подложки карбид кремния отжиг электрическое сопротивление эпитаксиальная структура
Авторы:
В. В. Попов - к.т.н., ген. директор, ОАО «Светлана», Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты экспериментального исследования влияния температурного воздействия на удельное сопротивление подложек полуизолирующего карбида кремния.
Страницы: 32-35
Список источников

  1. Zhang, W. and Meyer, B. K., Growth of GaN quasi-substrates by hydride vapor phase epitaxy // Phys. Stat. Sol. (c), 2003. V. 0. №. 6. P. 1571-1582.
  2. Ambacher, O., Growth and applications of Group III-nitrides // J. Phys. D: Appl. Phys. 1998. № 31.P. 2653-2710.
  3. Попов В. В.Способы измерения удельного сопротивления подложек полуизолирующего карбида кремния.