350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №4 за 2014 г.
Статья в номере:
Полуизолирующие 6Н-SiC подложки для применения в современной электронике
Ключевые слова: карбид кремния (SiC) полуизолирующие подложки карбида кремния кристаллы политип MESFET-транзистор
Авторы:
А. А. Лебедев - д. ф.-м. н., профессор, зам. руководителя отделения твердотельной электроники, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. E-mail: Shura.lebe@mail.ioffe.ru С. В. Белов - ст. инженер, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. E-mail: Sergey@mail.ioffe.ru С. П. Лебедев - мл. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург; Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики Д. П. Литвин - науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург И. П. Никитина - ст. инженер, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. E-mail: irina.nikitina45@gmail.com А. В. Васильев - зам. ген. директора по производству, ООО «Группа компаний «Нитридные кристаллы», Санкт-Петербург Ю. Н. Макаров - к. ф.-м. н., ген. директор, ООО «Группа компаний «Нитридные кристаллы», Санкт-Петербург С. С. Нагалюк - вед. инженер-технолог, ООО «Группа компаний «Нитридные кристаллы», Санкт-Петербург А. Н. Смирнов - к. ф.-м. н., ст. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. E-mail: Alex.Smirnov@mail.ioffe.ru В. В. Попов - к.т.н., ген. директор, ОАО «Светлана», Санкт-Петербург В. Н. Вьюгинов - к. т. н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург. E-mail: mail@svetlana-ep.ru Р. Г. Шифман - зам. директора по науке - начальник ОКБ, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург. E-mail: okb@svetlana-ep.ru Ю. С. Кузьмичев - начальник лаборатории, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург. E-mail: okb@svetlana-ep.ru Н. К. Травин - вед. инженер-технолог, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург. E-mail: travin@svetlana-ep.ru О. В. Венедиктов - инженер-технолог, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург. E-mail: venoleg@gmail.com
Аннотация:
Представлены результаты работ в ОАО «Светлана» по созданию базовой промышленной технологии роста монокристаллического полуизолирующего карбида кремния и изготовления подложек из него. Приведены параметры полученных подложек и рассмотрены наиболее перспективные применения.
Страницы: 9-15
Список источников

  1. Остроумов А. Г., Рогачев А. А. О.В.Лосев - пионер полупроводниковой электроники // Физика: проблемы, история, люди: Сб. научных трудов / под ред. В. М. Тучкевича. Л.: Наука. 1986.
  2. Новиков М. А. Олег Владимирович Лосев - пионер полупроводниковой электроники // ФТТ. 2004. № 46. С. 5-9.
  3. Аникин М. М., Андреев А. Н., Лебедев А. А., Пятко С. Н., Растегаева М. Г., Савкина Н. С., Стрельчук А. М., Сыркин А. Л., Челноков В. Е. Высокотемпературный диод Шоттки // ФТП. 1991. № 25. С. 328.
  4. Аникин М. М., Иванов П. А., Сыркин А. Л., Царенков Б. В., Челноков В. Е.SiC6H? полевой транзистор с рекордной для карбидкремневых транзисторов крутизной // Письма в ЖТФ 1989. № 15. С. 36.
  5. Лебедев А. А., Аникин М. М., Растегаева М. Г., Савкина Н. С., Сыркин А. Л., Челноков В. Е. Полевой транзистор на основе 6H-SiCс затвором в виде диода Шоттки // ФТП. 1995. № 29. С. 1231-1236.
  6. Anikin M. M., Andreev A. N., Pyatko S. N., Savkina N. S., Strelchuk A. M., Syrkin A. L. and Chelnokov V. E., UV photodetectors in 6H-SiC // Sensotrs and Actuators A. 1992. № 33. Р. 91-93.
  7. BludovA.V., BoltovetsM.S., VasilevskiK.V., ZorenkoA.V., ZakentesK., LebedevA.A., KrivitsaV.A.,Simulation and prototype fabrication of microwave modulators with 4H-SiC p-I-n diode // Material science Forum2004. V.457-460. Р.1089-1092.
  8. Vasilevski K. V., Zorenko A. V., Zekentes K., Experimentsl observation of microwave oscillations produced by pulsed silicon carbide IMPATT diodes // Electron. letters 2001. № 37 (7). Р. 466-467.
  9. Лебедев А. А., Белов С. В., Лебедев С. П., Литвин Д. П., Никитина И. П.,Васильев А. В., Макаров Ю. Н.,Нагалюк С. С., Стрельчук А. М., Попов В. В., Вьюгинов В. Н., Шифман Р. Г., Кузмичев Ю. С., Травин Н. К., Венедиктов О. В. Начало промышленного выпуска SiC подложек и приборов на их основе // Труды 1-й Российско-Белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной радиоэлектроники», посвященной 110-летию со дня рождения О. В. Лосева. В 2-х т. / под ред. А. Э. Рассадина. Н. Новгород.: Нижегородская радиолаборатория. 2013. Т. 1. С. 23-24.
  10. Tairov Yu. M. and Tsvetkov V. F., Investigation of Growth proceses of ingots of silicon carbide single crystals // J.Crystal Growth. 1978. № 43. Р. 209-212.
  11. Patent USSR № 403275. 1970; Patent GB № 1458445 (21.02.74); Patent USA. 1970. № 4147575 (03.04.79) / Yu. A.Vodakov and E. N.Mokhov.
  12. Mokhov E. N., Shulpina I. L., Tregubova A. S. and Vodakov Yu. A., Cryst. Res. Technol. 1981. № 16. Р. 879.
  13. Karpov S. Yu., Makarov Yu. N., Mokhov E. N., Ramm M. G., Ramm M. S., Roenkov A. D., Talalaev R. A., Vodakov Yu. A., Analysis of silicon carbide growth by sublimation sandwich method // J. of Crystal Growth. 1997. № 173. Р. 408-416.
  14. Зи С. М.Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия. 1973.
  15. Levinshtein M. E., Rumyantsev S. L., Shur M. S., Properties of Advanced Semiconductor materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. New York: Wiley. 2001.
  16. Yim J. H., et al., 4H-SiC Planar MESFETs on High-Purity Semi-insulating Substrates // Materials Science Forum. 2007. V. 556-557. P. 763-766.
  17. Katakami S., Ogata M., Ono S. and Arai M., Improvement of Electrical Characteristics of Ion Implanted 4H-SiC MESFET on a Semi-insulating Substrate // Materials Science Forum. 2007. V. 556-557. P. 803-806.
  18. Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S.V., Grigorieva I. V., Firsov A. A., Electric field effect in atomically thin carbon films. // 2004. Science 306. Р. 666.
  19. Lemme M. C., Current status of graphene transistors // Solid State Phenomena. 2009. № 156. Р. 499.
  20. Schwierz F., Graphene transistors, Nature Nanotech. 2010. № 5. Р. 487.
  21. Wu Y. Lin, Y., Jenkins K., et al., RF performance of short channel graphene field-effect transistor // Tech. Dig. of Int. Electron Device Meeting (IEDM). 2010. № 226.
  22. Tzalenchuk A., lara-Avila S., Kalaboukhov A., Paolillo S., Syvajarvi M., Yakimova R., Kazakova O., Janssen T. J. B. M., Fal-ko V., and Kubatkin S., Nature Nanotechnology. 2010. № 5. Р. 186-189.
  23. Лебедев А. А., Челноков В. Е. Широкозонные полупроводники для силовой электроники // ФТП. 1999. Т. 33. № 9. С. 1096-1099.
  24. Young L., et. al., Field plate engineering for GaN-based Schottky barrier diodes // J. of Semiconductors. 2013. V. 34. № 5. Р. 054007.
  25. LaRoche J. R, Luo B., Ren F., Baik K. H., Stodilka D., Gila B., Abernathy C. R., Pearton S. J., Usikov A., Tsvetkov D., Soukhoveev V., Gainer G., Pechnikov A., Dmitriev V., Chen G.-T., Pan C.-C., Chyi J.-I., GaN/AlGaN HEMTs grown by hydride vapor phase epitaxy on AlN/SiC substrates // Solid-State Electronics 2004. № 48. P. 193-196.