350 руб
Журнал «Успехи современной радиоэлектроники» №3 за 2017 г.
Статья в номере:
Слоистая структура на основе пленок поликластерного алмаза и AlN для устройств на поверхностных акустических волнах
Ключевые слова: поликластерные пленки алмаза пленки AlN устройства на поверхностных акустических волнах
Авторы:
А.Ф. Белянин - д.т.н., профессор, гл. науч. сотрудник, АО ЦНИТИ «Техномаш», НПП«Технологии радиочастотной идентификации и связи» E-mail: belyanin@cnititm.ru А.С. Багдасарян - д.т.н., профессор, гл. науч. сотрудник, НПП«Технологии радиочастотной идентификации и связи», Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Аннотация:
Представлены устройства на поверхностных акустических волнах на основе слоистых структур, содержащих ППА и пьезо-электрические пленки AlN.
Страницы: 30-38
Список источников

 

  1. Белянин А.Ф., Самойлович М.И., Дзбановский Н.Н., Пащенко П.В., Тимофеев М.А. Формирование наноструктурированных пленок и слоистых структур иридия и поликластерного алмаза // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 2. С. 16-30.
  2. Белянин А.Ф., Самойлович М.И., Пащенко П.В. и др Получение и строение поликластерных пленок алмаза и алмазоподобных углеродных пленок // Наноинженерия. 2013. № 7. С. 16-26.
  3. Collins J.L. Diamond-like carbon (DLC) ? a review // Industrial diamond review. 1998. V. 58. № 578. P. 90-92.
  4. McIlvenna J. RF and surface acoustic wave device technology // Microwave Journal. 1979. V.22. № 10. P.38.
  5. Shiosaki T., Yamamoto T., Oda T., Harada K., Kawabata A. Low temperature growth of piezoelectic AlN films for surface and bulk wave transducters by RF planar magnetron sputtering // Pros. IEEE. 1980. Ultrasonic Simposium. P. 451−454.
  6. Belyanin A.F., Blaut-Blachev A.N., Bouilov L.L., Spitsyn B.V. Growth of AlN films and diamond/AlN layer system application in acoustoelectronics // Journal of Chemical Vapour Deposition. 1997. V. 5. № 3. P. 267-272.
  7. Xu J., Thakur J.S., Hu G., Wang Q., Danylyuk Y., Ying H., Auner G.W. Angular dependence of surface acoustic wave characteristics in AlN thin films on a-plane sapphire substrates // Applied Physics A. 2006. V. 83. P. 411-415.
  8. Bo L., Xiao C., Hualin C., Ali Mohammad M., Xiangguang T., Luqi T., Yi Y., Tianling R. Surface acoustic wave devices for sensor applications // Journal of Semiconductors. 2016. V. 37. № 2. 021001-1?9.
  9. Jagannadham K., Sharma A.K., Wei Q., Kalyanraman R., Narayan J. Structural characteristics of AlN films deposited by pulsed laser deposition and reactive magnetron sputtering: A comparative study // Journal of Vacuum Science & Technology A. 1998. V. 16. № 5. P. 2804-2815.
  10. Белянин А.Ф., Бульенков Н.А., Корсун Г.И., Тер-Маркарян А.А. Сильнотекстурированные пленки AlN, выращенные методом высокочастотного магнетронного распыления // Техника средств связи. 1987. Серия: ТПО. Вып. 1. С. 35-44.
  11. Багдасарян А.С., Казеннов В.Ф., Карапетьян Г.Я. Фильтр на основе ступенчатых встречно-штыревых преобразователей ПАВ // Радиотехника и электроника. Т. XXXIV. № 5. 1989. С. 1104-1107.
  12. Багдасарян А.С. Разработка акустоэлектронных устройств и их использование в аппаратуре приема, передачи и обработки информации // Дисс. - д.т.н. СПб. 1999.
  13. Никитов С.А., Багдасарян А.С.,Кондратьев С.Н., Синицына Т.В., Машинин О.В., Груздев А.С. Фильтры на поверхностных акустических волнах с высокой входной мощностью для систем связи, радиолокационной и телекоммуникационной аппаратуры на номинальную частоту 2170 МГц // Радиотехника и электроника. 2016. Т. 61. № 4. С. 389.
  14. Синицына Т.В., Машинин О.В., Багдасарян А.С. и др. Частотно-избирательные микроблоки на основе фильтров на поверхностных акустических волнах // Радиотехника. 2016. №5. С. 105-111.
  15. Багдасарян А.С., Карапетьян Г.Я. Импедансные ПАВ фильтры для сотовых систем связи // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М. 1999. Вып. 1. С. 1.
  16. Багдасарян А.С., Синицына Т.В., Николаев В.И. Особенности проектирования устройств на поверхностных акустических волнах волноводного типа // Теория и техника радиосвязи. 2016. № 2. С. 92-104.
  17. Bagdasarian A.S., Bagdasaryan S.A., Dneprovski V.G., Karapetyan G.Y. To issue on development of piezoelectric devices on surface acoustic waves / В кн.: Piezoelectrics and Related Materials: Investigations and Applications. New York. 2012. С. 189-238.
  18. Багдасарян А.С., Карапетьян Г.Я. Импедансные фильтры на ПАВ. М.: Изд-во «Международная программа образования». 1998.
  19. Багдасарян А., Багдасарян С., Карапетьян Г., Машинин О., Синицына Т. Импедансные ПАВ- фильтры для телекоммуникационных систем. Российский приоритет // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2014. № 7 (139). С. 48-65.
  20. Багдасарян А.С., Гуляев Ю.В., Никитов С.А., Багдасарян С.А. и др. Узкополосные фильтры на поверхностных акустических волнах в системах радиочастотной идентификации // Радиотехника и электроника. 2008. Т. 53. № 7. С. 887-896.
  21. Бутенко В.В., Багдасарян А.С., Багдасарян С.А., Карапетьян Г.Я., Николаева С.О. Акустоэлектронные идентификационные метки в керамике LTCC // Труды научно-исследовательского института радио. 2013. № 1. С. 16-23.
  22. Багдасарян С., Днепровский В., Карапетьян Г., Нефедова Н., Синицына Т. ПАВ-датчики дистанционного контроля физических величин // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2008. № 1. С. 46-51.
  23. Bhushan B., Subramaniam V.V., Gupta B.K. Polishing of diamond films // Diamond Films and Technology. 1994. V. 4. № 2. P. 71−97.
  24. Спицын Б.В., Белянин А.Ф., Бульенков Н.А., Ривилис В.М. Строение и механическая обработка слоев алмаза, выращенных из газовой фазы // Техника средств связи. 1987. Сер.: ТПО. Вып. 1. С. 61-70.
  25. Белянин А.Ф., Самойлович М.И., Пащенко П.В., Багдасарян С.А. Слоистые структуры алмазоподобный углерод/AlN(ZnO) в устройствах на поверхностных акустических волнах // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. 2004. № 1,2. С. 58-63.
  26. Busta H.H., Chen J.M., Shen Z., Jansen K., Rizkowski S., Matey J., Lanzillotto A. Characterization of electron emitters for miniature x-ray sources // Journal of Vacuum Science & Technology B. 2003. V. 21. Р. 344-349.
  27. Oliveira C., Otani C., Maciel H.S., Massi M., Noda L.K., Temperini M.L.A. Raman active E2 modes in aluminum nitride films // Journal of materials science: materials in electronics. 2001. V. 12. P. 259-262.
  28. Liu L., Liu B., Edgara J.H., Rajasingam S., Kuball M. Raman characterization and stress analysis of AlN grown on SiC by sublimation // Journal of applied physics. 2002. V. 92. № 9. P. 5183-5188.
  29. Belyanin A.F., Bouilov L.L., Zhirnov V.V., Kamenev A.I., Kovalskij K.A., Spitsyn B.V. Application of aluminum nitride films for electronic devices // Diamond and Related Materials. 1999. V. 8. P. 369-372.
  30. Белянин А.Ф., Житковский В.Д., Пащенко П.В. Пленки нитрида алюминия: получение, строение и применение в устройствах электронной техники // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. 1998. Вып. 1. С. 29-37.
  31. Shikata S., Nakahata H., Higaki K., Fujii S., Hachigo A., Fujimori N. 2,5 GHz SAW bandpass filter using polycrystalline diamond // Advances in New Diamond Science and Technology. 1994. P. 697−700.