Р.Р. Фахрутдинов - инженер-проектировщик, Омский государственный технический университет (г. Омск). E-mail: nopr_11@mail.ru К.В. Мурасов - к.т.н., мл. науч. сотрудник, Омский государственный технический университет (г. Омск). E-mail: murasov_k@yahoo.com Р.А. Вольф - мл. науч. сотрудник, Омский государственный технический университет (г. Омск). E-mail: 1986wolf@gmail.com С.А. Завьялов - к.т.н., доцент, Омский государственный технический университет (г. Омск). E-mail: zavyalov62@mail.ru А.Н. Лепетаев - к.т.н., доцент, Омский государственный технический университет (г. Омск). E-mail: lan@inbox.ru

Рассмотрен интегральный источник опорного напряжения с температурной компенсацией второго порядка, имеющий двойную стабилизацию и схему подстройки, компенсирующую технологический разброс. Представлены результаты моделирования описанного источника. Отмечено, что выходное напряжение имеет нестабильность, не превышающую 1,5 ppm/ºC, в диапазоне температур -40-85 град и изменении напряжения питания 1,8-3,6 В с учетом компенсированного технологического разброса; шум в полосе 1 Гц-10 ГГц составляет 103 мкВ/√Гц; коэффициент подавления помех по входу составляет -60 дБ на частоте 100 кГц, при напряжении питания 3 В.

 

1. Мурасов К.В., Косых А.В., Завьялов С.А., Лепетаев А.Н. Интегральный ASICкварцевый генератор с гибридной аналого- цифровой температурной компенсацией // Омский научный вестник. 2011. № 3 (103). С.294-299.
2. Tsivids Y.P.Accurate analysis of temperature effects in Ic-Vbe characteristics with application to bandgap reference sources //  IEEEJ. Solid-state circuits. 1980. V. 14. P.573-577.
3. Li Y., Wu  J.,  Huang Z., Gao Z. High-Order  Curvature-Compensated Bandgap Reference  A Sub-1ppm //  IEEE  APCCAS.  2008.  P.1204-1207.
4. Xing X., Li D. A low viltage high precision CMOS Bangap referense // IEEE 1-4244-157-147-9.2007.
5. Lee I., Kim G., Kim W. Exponential curvature-compensated BiCMOS bandgap reference // IEEE Journal of silid state circuits. 1994. V.29.