350 руб
Журнал «Успехи современной радиоэлектроники» №12 за 2012 г.
Статья в номере:
Физическое моделирование линий связи маломощных КНИИ КМОП элементов быстродействующих микропроцессоров
Ключевые слова: линии связи микропроцессор быстродействующие элементы
Авторы:
В.А. Горячев - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, НИИСИ РАН (Москва). Е-mail: vag@niisi.ras.ru, vag@rivera.ru
Аннотация:
Обсуждены вопросы работы линий связи (ЛС) быстродействующих элементов микропроцессора (СБИС типа система на кристалле). Рассмотрены ЛС с планарной топологией, элементы трехмерных соединений и системы синхронизации. Показано, что значительный прогресс для ЛС металлодиэлектрических структур высокого качества намечается в связи с освоением технологий нанометрового уровня.
Страницы: 62-74
Список источников
  1. Рабаи Ж. М., Чандракасан А., Николич Б. Цифровые интегральные схемы. Методология проектирования: пер. с англ. Изд. 2-е. М.: ООО ИД «Вильямс». 2007. С. 894. http://www.williamspublishing.com/PDF/5-8459-0824-8/content.pdf
  2. Стешенко В. Б., Руткевич А. В., Бумагин А. В и др. Опыт разработки СБИС типа СнК на основе встроенных микропроцессорных ядер // Компоненты и технологии, 2008. № 9. http://www.russianelectronics.ru/developer-r/review/2189/doc/43285/
  3. Стешенко В., Руткевич А., Гладкова Е. и др.Проектирование СБИС типа «система на кристалле». Маршрут проектирования. Топологическое проектирование. Синхронизация и тактовые деревья. Ч. 2 // Электронные компоненты. 2009. № 3.
    С. 1-5. http://www.elcp.ru(Первая часть работы опубликована в журнале «Электронные компоненты», № 1. 2009).
  4. Масальский Н. В. Синтез характеристик логических элементов на двух затворных КНИ КМОП нанотранзисторах с архитектурой без «перекрытия» // Труды VII Междунар. науч.-техн. конф. INTERMATIC, 23 - 27 ноября 2010. МИРЭА. Ч. 2. С. 66. http://www.conf.mirea.ru/CD2010/pdf/p2/13.pdf
  5. Кристовский Г. В., Терентьев Ю. И. Учет возможной деградации линий связи при проектировании современных БИС. М.: ИМВС РАН. 2001. http://www.ict.edu.ru/ft/002174/sb4_page123_127.pdf
  6. Ковалев А. В. Технологии энергосбережения в микроэлектронных устройствах. Таганрог: ТГИ ЮФУ. 2009. С. 100.
  7. Белоус А. И., Мурашко И. А., Сякерский В. С. Методы минимизации энергопотребления при проектировании КПОП БИС // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2008. № 2. С. 39-44.
  8. Копылов А. Ф., Копылова Н. А.Механизм управления характеристиками микрополосковой линии передачи на полупроводниковой подложке // Измерения, автоматизация и моделирование в промышленности и научных исследованиях. Межвузовский сборникАлтайского ГТУ им. И. И. Ползунова. Бийск. 2011. № 1. С. 124-126. http://iamp.msia-bti.ru/thesis/Sbornik_rus2011.pdf
  9. Малков Н. А., Барышев Г. А.Основы технической электродинамики // Тамбов: Тамбовский ГТУ. 2003. С. 128. http://www.tstu.ru/education/elib/pdf/2003/malkov2.pdf
  10. Проценко И. Е. Электрофизические свойства и диффузионные процессы в многослойных пленочных структурах // Сб. трудов Харьковской научной ассамблеи ISTFE-15. Харьков. НИЦ «Константа». 2004. С. 167-164.
  11. Бочаров А. В. Исследование ТЕМ-волны в межслойных переходах ГИС СВЧ // Рефераты докл. 13 Всеросс. конф. 8-9 декабря 2009. СПбГУ им. М.А. Бонч-Бруевича. http://niits.ru/academy/aspirant/public/autoref-attsik.pdf
  12. Кечиев Л. Н., Смирнов А. М., Соловьев А. В., Нисан А. В.Математические модели для расчета значений волнового сопротивления микрополосковых линий передачи. Кечиев Л.Н., Нисан А.В.Особенности проектирования дифференциальных пар // Технологии ЭМС. 2008. № 3. С.68-75.
  13. Горячев В. А., Захаров С. М. Анализ переходных процессов в экранированных линиях связи // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 5. С. 443-454.
  14. Горячев В. А., ТимофеевВ. К. Дальнодействующие взаимодействия в экранированных линиях связи высокоскоростных цифровых устройств // Сб. ИМВС РАН. 2004.
    № 7. С. 68-75.
  15. Потапов Ю. Технология экстракции паразитных параметров для моделирования межсоединений // Технологии в электронной промышленности, 2007. № 6. С. 22-26.http://www.eurointech.ru/EDA_ Expert/EDA_Expert_14_22_26.pdf
  16. Горячев В. А.Физические особенности графеновых соединений для нанотранзистоных СБИС // УСР. 2011. № 3. С. 17-23.
  17. Tosik, G., Gaffiot, F., Lisik, Z., et al. Power dissipation in optical and metallic clock distribution networks in new VLSI technologies// ElectronicsLetters. 2004. V. 4. № 3. Р. 198-200.
  18. Lee, T., et al. Programmable Direct-Printing Nanowire Electronics Components. Программируемые нанопроволочные электронные компоненты с прямой печатью// Nano Letters. 2010. 10(3). Р.1016-1021.
  19. Sukeshwar, K., et al.Analysis of carbon nanotube based through silicon vias // Proceedings of 60th Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 1-4 June 2010. Р. 51-57.
  20. Keller, J.,DARPA asks industry for ways to blend electronic, photonic, and MEMS components on one silicon chip // www.militaryaerospace.com. Технологическийцентрмировыеновости. www.tcen.ru/cgi-bin/lenta/view.pl-type=3
  21. Jamal, O., Naeemi, A., Ultralow Power Single-Wall Carbon Nanotube Interconnects for Subthreshold Circuits // IEEE Transactions on Nanotechnology. March 2011. V. 10. I.2. Р. 99-101.