350 руб
Журнал «Успехи современной радиоэлектроники» №5 за 2010 г.
Статья в номере:
Новые направления инфракрасной фотоэлектроники
Ключевые слова: фотоэлектроника CdHgTe InSb тепловидение
Авторы:
В.П. Пономаренко - д.ф.-м.н., проф., зав. кафедрой физической электроники МФТИ , зам генерального директора ФГУП «НПО «Орион» E-mail: ponomarenko@orion-ir.ru А.М. Филачев - д.т.н., проф., чл.-корр. РАН, генеральный директор ФГУП «НПО «Орион»
Аннотация:
Проведен анализ современного состояния фотоэлектроники для тепловизионной и теплопеленгационной аппаратуры нового поколения. Рассмотрены основные физико-технологические проблемы создания фотоэлектронных модулей (ФЭМ) для трех важнейших спектральных диапазонов 1-3, 3-5 и 8-14 мкм. Приведены последние результаты разработок ФЭМ для задач тепловидения и теплопеленгации. Рассмотрены возможности использования метаматериалов и нанотехнологий в оптоэлектронике.
Страницы: 44-53
Список источников
  1. Пономаренко В.П., Сагинов Л.Д., Филачев А.М. Фотоэлектронные технологии для инфракрасной техники // Успехи современной радиоэлектроники. 2004. № 5-6. С.46 - 54.
  2. Бурлаков И.Д., Пономаренко В.П., Филачев А.М., Дегтярев Е.В. Фотоприемные устройства для тепловизионной аппаратуры второго поколения // Прикладная физика. 2007. №2. С. 43 - 54.
  3. Гринченко Л.Я., Пономаренко В.П., Филачев А.М. Современное состояние и перспективы инфракрасной фотоэлектроники // Прикладная физика. 2009. № 2. С. 57 - 64.
  4. Филачев А.М., Пономаренко В.П., Таубкин И.И., Ушакова М.Б.Инфракрасные матрицы и тенденции их развития Ч. 1 и 2 // Прикладная физика. 2003. № 1. С.105 ? 120. № 2. С. 54 - 69.
  5. Пономаренко В.П., Филачев А.М. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений (1946-2006). М.: Физматкнига. 2006.
  6. Ettenberg M.H., Cohen M.J., Brubaker R.M., Lange M.J., O-Grady M.T., Olsen G.H. Indium Gallium Arsenide Imaging with Smaller Cameras, Higer Resolution Arrays and Greater Material Sensitivity. Proc.SPIE. 2002. V.4721. P.26 - 36.
  7. Escher J.T., Maloney T.J., Gregory P.E., Hyder S.B., Houng Y.M. Photoemission to 1,7 mm from an InP/InGaAs trasfered-electron photocathode // IEEE Trans. Electron. Devices. 1978. V. ED-25. P.1347 - 1348.
  8. Chorier P., Tribolet P., Fillon P., Manissadjian A.Application needs and trade-offs for Short Wave Infrared detectors. Proc. SPIE. 2003. V.5074. P.363 - 373.
  9. Волков В.Г. Приборы ночного видения новых поколений // Специальная техника. 2001. № 5. С.2 - 8.
  10. Филачев А.М., Пономаренко В.П., Таубкин И.И., Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Горелик Л.И., Кравченко Н.В., Кулыманов А.В., Куликов К.М., Ложников В.Е., Шаронов Ю.П. Фотоприемники и фотоприемные устройства для приема импульсного излучения в спектральном диапазоне 0,3 - 11 мкм // Прикладная физика. 2002. № 6. С. 52 - 60.
  11. Головин Ю.И. Введение в нанотехнику. М.: Машиностроение. 2007.
  12. Веселаго В.Г. Электродинамика веществ с одновременно отрицательными значениями ε и μ// УФН. 1967. Т.22. Вып.3. С.517 - 526.
  13. Sihvola A. Metamaterials in electromagnetics. Metamaterials. 2007. V.1.P.2 - 11.
  14. Кононов А.С., Куликов К.М., Пономаренко В.П., Свиридов А.Н., Седнев М.В., Селиванов А.С., Филачев А.М. Оптико-электронное устройство для управления оптическим излучением на основе метаматериала с наноразмерным металлическим слоем // Прикладная физика. 2009 (в печати).
  15. Sellar R.G., Boreman G.D. Classification of imaging spectrometers for remote sensing applications // Optical Engineering. 2005.V.44(1).
  16. Салмин Е.А, Пономаренко В.П., Стафеев В.И. Полевой транзистор со структурой МТДП на основе «кадмий-ртуть-теллур» // Физика и техника полупроводников. 1988. Т.22. Вып.6. С. 1142 - 1144.
  17. Дамньянович В, Пономаренко В П. Свойства фотодиодов Шоттки с туннельно прозрачным диэлектриком на основе CdxHg1-xTe// Прикладная физика. 2003. №1.С. 91 - 94.
  18. Дамньянович В., Пономаренко В. П. Свойства барьеров Шоттки со структурой металл-туннельно прозрачный диэлектрик-p-CdxHg1-xTe // Прикладная физика. 2003. № 1. С. 94 - 99.
  19. Damnjanović V., Ponomarenko V. P., Elazar J. M. Semicond. Sci. Technol.  Electrical сharacteristics of HgCdTe Schottky diode photo-detectors with passivation layers transparent to free carriers // Semicond.Sci.Technol. 2007. V. 22. P.137 - 144.
  20. Damnjanović V., Ponomarenko V.P., Elazar J.M.Photo-electric characteristics of HgCdTe tunnel MIS photo-detectors // Semicond. Sci. Technol. 2009. V.24. P.1 - 6.