350 rub
Journal Achievements of Modern Radioelectronics №5 for 2010 г.
Article in number:
New Branches of Infrared Photoelectronics
Authors:
Ponomarenko V.P., Filachev A.M.
Abstract:
An analysis of modern state of photoelectronics for thermal vision and thermal direction finding equipment of new generation is carried out. Main physical and technological problems of photoelectron modules (PEM) creating for three most important spectral ranges (1-3, 3-5 and 8-14 µm) are considered. Last results of PEMs development for thermal vision and thermal direction finding tasks are presented. Physical problems application of nanotechnologies and metamaterials in photoelectronics are considered
Pages: 44-53
References
- Пономаренко В.П., Сагинов Л.Д., Филачев А.М. Фотоэлектронные технологии для инфракрасной техники // Успехи современной радиоэлектроники. 2004. № 5-6. С.46 - 54.
- Бурлаков И.Д., Пономаренко В.П., Филачев А.М., Дегтярев Е.В. Фотоприемные устройства для тепловизионной аппаратуры второго поколения // Прикладная физика. 2007. №2. С. 43 - 54.
- Гринченко Л.Я., Пономаренко В.П., Филачев А.М. Современное состояние и перспективы инфракрасной фотоэлектроники // Прикладная физика. 2009. № 2. С. 57 - 64.
- Филачев А.М., Пономаренко В.П., Таубкин И.И., Ушакова М.Б.Инфракрасные матрицы и тенденции их развития Ч. 1 и 2 // Прикладная физика. 2003. № 1. С.105 ? 120. № 2. С. 54 - 69.
- Пономаренко В.П., Филачев А.М. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений (1946-2006). М.: Физматкнига. 2006.
- Ettenberg M.H., Cohen M.J., Brubaker R.M., Lange M.J., O-Grady M.T., Olsen G.H. Indium Gallium Arsenide Imaging with Smaller Cameras, Higer Resolution Arrays and Greater Material Sensitivity. Proc.SPIE. 2002. V.4721. P.26 - 36.
- Escher J.T., Maloney T.J., Gregory P.E., Hyder S.B., Houng Y.M. Photoemission to 1,7 mm from an InP/InGaAs trasfered-electron photocathode // IEEE Trans. Electron. Devices. 1978. V. ED-25. P.1347 - 1348.
- Chorier P., Tribolet P., Fillon P., Manissadjian A.Application needs and trade-offs for Short Wave Infrared detectors. Proc. SPIE. 2003. V.5074. P.363 - 373.
- Волков В.Г. Приборы ночного видения новых поколений // Специальная техника. 2001. № 5. С.2 - 8.
- Филачев А.М., Пономаренко В.П., Таубкин И.И., Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Горелик Л.И., Кравченко Н.В., Кулыманов А.В., Куликов К.М., Ложников В.Е., Шаронов Ю.П. Фотоприемники и фотоприемные устройства для приема импульсного излучения в спектральном диапазоне 0,3 - 11 мкм // Прикладная физика. 2002. № 6. С. 52 - 60.
- Головин Ю.И. Введение в нанотехнику. М.: Машиностроение. 2007.
- Веселаго В.Г. Электродинамика веществ с одновременно отрицательными значениями ε и μ// УФН. 1967. Т.22. Вып.3. С.517 - 526.
- Sihvola A. Metamaterials in electromagnetics. Metamaterials. 2007. V.1.P.2 - 11.
- Кононов А.С., Куликов К.М., Пономаренко В.П., Свиридов А.Н., Седнев М.В., Селиванов А.С., Филачев А.М. Оптико-электронное устройство для управления оптическим излучением на основе метаматериала с наноразмерным металлическим слоем // Прикладная физика. 2009 (в печати).
- Sellar R.G., Boreman G.D. Classification of imaging spectrometers for remote sensing applications // Optical Engineering. 2005.V.44(1).
- Салмин Е.А, Пономаренко В.П., Стафеев В.И. Полевой транзистор со структурой МТДП на основе «кадмий-ртуть-теллур» // Физика и техника полупроводников. 1988. Т.22. Вып.6. С. 1142 - 1144.
- Дамньянович В, Пономаренко В П. Свойства фотодиодов Шоттки с туннельно прозрачным диэлектриком на основе CdxHg1-xTe// Прикладная физика. 2003. №1.С. 91 - 94.
- Дамньянович В., Пономаренко В. П. Свойства барьеров Шоттки со структурой металл-туннельно прозрачный диэлектрик-p-CdxHg1-xTe // Прикладная физика. 2003. № 1. С. 94 - 99.
- Damnjanović V., Ponomarenko V. P., Elazar J. M. Semicond. Sci. Technol. Electrical сharacteristics of HgCdTe Schottky diode photo-detectors with passivation layers transparent to free carriers // Semicond.Sci.Technol. 2007. V. 22. P.137 - 144.
- Damnjanović V., Ponomarenko V.P., Elazar J.M.Photo-electric characteristics of HgCdTe tunnel MIS photo-detectors // Semicond. Sci. Technol. 2009. V.24. P.1 - 6.