350 руб
Журнал «Вакуумная, плазменная и твердотельная электроника» №1 за 2010 г.
Статья в номере:
Контроль качества диэлектрических слоев интегральных микросхем и изделий микросистемной техники
Ключевые слова: контроль интегральная микросхема микросистемная техника МДП-структура диэлектрическая плёнка дефект
Авторы:
В.В. Андреев - д. т. н., проф., Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: andreev@bmstu-kaluga.ru А.А. Столяров - д. т. н., проф., зав. кафедрой, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана Д.С. Васютин - аспирант, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана А.М. Михальков - аспирант, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
Аннотация:
Рассмотрен единый подход к контролю дефектности изоляции и зарядовой стабильности структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в производстве интегральных микросхем и изделий микросистемной техники с использованием инжекционного метода управляемой токовой нагрузки. Рассматрено применение метода управляемой токовой нагрузки для контроля параметров МДП-структур и автоматизированная установка контроля, реализующая данный метод. Проанализированы новые возможности существенного улучшения качества диэлектрических слоев и повышения их устойчивости к токополевым нагрузкам, статическому электричеству, электронным и радиационным воздействиям.
Страницы: 44-52
Список источников
  1. Амеличев В.В., Вернер В.Д., Сауров А.Н.Совместимость технологии микросистемной техники с технологией микроэлектроники // Нано- и микросистемная техника. 2006. № 1. С. 10-14.
  2. Мустафаев Аб.Г., Мустафаев Ар.Г.Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологии // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 4. С. 17-22.
  3. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров А.А.Инжекционные методы исследования и контроля структур металл-диэлектрик-полупроводник: Монография. М.: Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2004.
  4. Масловский В.М., Личманов Ю.О., Семанович Е.В. Влияние протяжен­ных дефектов на пробой тонкопленочных МДП-структур // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 24. C. I 1-16.
  5. Arnold D., Cartier E., DiMaria D.J. Theory of high-field electron transport and impact ionization in silicon dioxide// Phys. Rev. B. 1994. Vol.49. № 15. P.10278-10297.
  6. Lombardo S., Stathis J.H., Linder P., Pey K.L., Palumbo F., Tung C.H. Dielectric breakdown mechanisms in gate oxides // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 98. P. 121301.
  7. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров А.А. Метод постоянного тока в контроле МДП-структур // Петербургский журнал электроники. 1997. № 3. С.69-72.
  8. Bondarenko G.G., Andreev V.V., Loskutov S.A., Stolyarov A.A. The method of the MIS structure interface analysis // Surface and Interface Analysis. 1999. V. 28. P. 142-145.
  9. Андреев В.В. Барышев В.Г., Бондаренко Г.Г., Столяров А.А. Метод многоуровневой токовой нагрузки для исследования генерации и релаксации положительного заряда в МДП-структурах // Микроэлектроника. 2003. T. 32. № 2. С. 152-158.
  10. Bondarenko G.G., Andreev V.V., Drach V.E., Loskutov S.A., Stolyarov M.A. Study of temperature dependence of positive charge generation in thin dielectric film of MOS structure under high-fields // Thin solid films. 2006. V. 515. 670-673.
  11. Андреев В.В., Барышев В.Г., Бондаренко Г.Г., Драч В.Е., Столяров  М.А. Метод  двухуровневой токовой нагрузки для контроля параметров положительного заряда МДП-структур в сильных электрических полях // Перспективные материалы. 2003. № 5. С.94-99.
  12. Андреев В.В., Бондаренко Г.Г., Столяров А.А., Васютин Д.С., Михальков А.М. Исследование влияния режимов инжекционной модификации на зарядовое состояние подзатворного диэлектрика МДП-приборов // Перспективные материалы. 2009. № 2. С. 45-51.
  13. А.С. № 1342252 СССР. Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур. В.Г. Барышев, В.Е. Каменцев, А.А. Столяров.1987.
  14. Патент РФ 1829787 от 27.11.2001. Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур / В.В. Андреев, В.Г. Барышев, Ю.А. Сидоров, А.А. Столяров.
  15. Андреев В.В., Бедняков А.А., Новиков Л.С., Соловьев Г.Г., Столяров А.А., Лоскутов С.А. Сравнительное исследование зарядового состояния МДП-структур при облучении протонами и инжекции  заряда в сильных электрических полях // ВАНТ. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2002. Вып. 1-2. С. 61-66.