350 rub
Journal Science Intensive Technologies №2 for 2013 г.
Article in number:
Research of influence of technological operations on quality of microcircuits
Authors:
V.K. Doroshevich, K.K. Doroshevich
Abstract:
By manufacture of microcircuits probably occurrence of various kinds of refusals. Incomplete removal of an oxidizer from a surface of a crystal during manufacturing microcircuits can lead to breaks of metallized distributing at hit of a moisture inside of the case of the ready circuit. Negligence at резке and ломке plates on crystals can cause occurrence of short circuits of gold conductors on initial silicon at edge of a crystal. Refusals of film resistors in the majority are defined by technological defects: mechanical damages of a resistive layer and pollution of resistive layers. Poor-quality connections are one of the basic kinds of refusals microcircuits. Hit of a moisture inside of the case before hermetic sealing the device or at insufficient tightness of the case while in service leads to refusals microcircuits in connection with that chemical reaction proceeding at it leads to formation Al2O3. On the basis of the data of interrelation of kinds and the reasons of refusals with technological operations, parameters of elements of the case and a crystal it is possible to estimate methods of physicotechnical examination quality ready microcircuits.
Pages: 13-14
References
  1. Отчет о НИР «Исследование методов контроля и физико-технического анализа качества операций типовых техноло-
    гических процессов изготовления схем с целью разработки мероприятий по дальнейшему повышению их качества».  22 ЦНИИИ МО РФ. 1980.
  2. Отчет о НИР «Разработка требований к системе контроля и обеспечения качества технологических процессов изготовления микросхем с целью повышения их надежности. Разработка требований к системе контроля процессов изготовления микросхем военного назначения с повышенной надежностью». 22 ЦНИИИ МО РФ. 1980.
  3. Дорошевич В.К. Влияние технологических операций на качество микросхем // Материалы Междунар. научно-технич. конф. «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения». 25-28 октября 2005 г. Москва.