Поиск
Статьи 10
- Анализ качества технологического процесса производства полупроводниковых инжекционных лазеров С. 47-50
- О.В. Лосев и пути развития русской микроэлектроники в XXI в С. 4-11
- Стабилизация режима синхронизации инжекционного полупроводникового лазера с внешним инжектируемым излучением С. 51-55
- Сопоставление импедансных свойств инжекционного лазера, определяемых квантово-механическим и радиотехническим методами С. 36-39
- Элементы ВОЛС с частотным уплотнением каналов на СВЧ-несущей С. 48-51
- Хаотическая генерация в инжекционных полупроводниковых лазерах как основа создания шумового модуля повышенной мощности для активной фазированной антенной решётки С. 75-79
- Управление хаотической генерацией инжекционного полупроводникового лазера при внешнем воздействии АМ-оптическим излучением С. 559-565
- Система управления наномеханическими устройствами в вакуумной камере ионного сканирующего микроскопа при помощи лазерного нагрева С. 45-46
- Система управления наномеханическими устройствами в вакуумной камере ионного сканирующего микроскопа при помощи лазерного нагрева С. 38-39
- Нелинейный резонанс и устойчивость излучения инжекционного полупроводникового лазера при его модуляции СВЧ-колебаниями С. 74-76