Название статьи или книги, фамилия автора, DOI

О.В. Лосев и пути развития русской микроэлектроники в XXI в

С.А. Гилёв1, М.А. Новиков2, А.А. Потапов3, А.Э. Рассадин4

научная статья Страницы: 4-11

  1. 1 вед. инженер, Музей науки «Нижегородская радиолаборатория» ННГУ им. Н.И. Лобачевского (Национальный исследовательский университет) (г. Нижний Новгород)
  2. 2 к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород)
  3. 3 д.ф.-м.н., профессор, гл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН; Президент совместной китайско-российской лаборатории информационных технологий и фрактальной обработки сигналов (Китай, Гуанджоу)
  4. 4 координатор объединенных научно-образовательных программ НРО НТОРЭС им. А.С. Попова (г. Нижний Новгород)

Аннотация

Приведены факты из жизни сотрудника Нижегородской радиолаборатории О.В. Лосева, убедительно доказывающие его при-оритет в открытии p n перехода и светодиода. Обоснована роль О.В. Лосева как символа интенсивного развития русской микроэлектроники в XXI веке. В качестве иллюстрации консолидирующей роли фигуры О.В. Лосева для отечественного ра-диоэлектронного сообщества дан отчет о 1-й Российско-Белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной радиоэлектроники», посвященной 110-летию со дня рождения О.В. Лосева и прошедшей 11−14 сентября 2013 г. в Нижнем Новгороде под эгидой Российского и Нижегородского научно-технических обществ радиотехники, электроники и связи им. А.С. Попова.

Для цитирования

Гилёв С.А., Новиков М.А., Потапов А.А., Рассадин А.Э. О.В. Лосев и пути развития русской микроэлектроники в XXI в // Нелинейный мир. 2015. № 4. С. 4–11.

Список источников

 

  1. Попов В.Г. Эффект резонансного туннелирования носителей и его использование в транзисторах // Труды 1-й Российско-белорусской научно-технич. конф. «Элементная база отечественной радиоэлектроники», посвященной 110-летию со дня рождения О.В. Лосева / Под ред. А.Э. Рассадина. Н. Новгород: Нижегородская радиолаборатория. 2013. Т. 2. С. 7−10.
  2. Макушин М.В., Железнова Л.И. Об освоении производства ИС с топологиями менее 20 нм. М.: ЦНИИ «Электроника». 2013.
  3. Лосев О.В. У истоков полупроводниковой техники. Избранные труды / Отв. ред. Г.А. Остроумов. Л.: Наука. 1971. 203 с.
  4. Новиков М.А. Олег Владимирович Лосев - пионер полупроводниковой электроники (К столетию со дня рождения) // Физика твердого тела. 2004. Т. 46. № 1. С. 5−9.
  5. Опередивший время. Сб. статей, посвященный 100-летию со дня рождения О.В. Лосева / Под ред. Р.Г. Стронгина. Н. Новгород: ННГУ. 2006.
  6. Остроумова Е.В. На пороге эры микроэлектроники. О.В. Лосев // Труды 1-й Российско-белорусской научно-технич. конф. «Элементная база отечественной радиоэлектроники», посвященной 110-летию со дня рождения О.В. Лосева / Под ред. А.Э. Рассадина. Н. Новгород.: Нижегородская радиолаборатория. 2013. Т. 1. С. 6−9.