Диагностика дефектов ячеек энергонезависимой памяти методом контактной сканирующей емкостной микроскопии
- 1 аспирант, Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники (МИРЭА)
Ключевые слова:
контактная сканирующая емкостная микроскопиядефекты ячеек энергонезависимой памятисканирующая зондовая микроскопиявысокочастотные C V характеристикикантилевер
Аннотация
Проведены исследования зависимости чувствительности измерений методом контактной сканирующей емкостной микроскопии от радиуса зонда кантилевера и материала его проводящего покрытия. Определено разрешение методики контактной сканирующей емкостной микроскопии по уровню детектируемого заряда и латеральное разрешение методики при проведении диагностики дефектов ячеек энергонезависимой памяти.
Для цитирования
Шиколенко Ю.Л. Диагностика дефектов ячеек энергонезависимой памяти методом контактной сканирующей емкостной микроскопии // Наукоемкие технологии. 2016. № 1. С. 26–29.
Список источников
- Bloom I., Pavan P., Eitan B. NROM - A New Non-Volatile Memory Technology: From Device to Products // Microelectronic Engineering. November 2001. V. 59. P. 213−223.
- Nonvolatile Memory Technologies with Emphasis on Flash / Edited by J.E. BrewerandM. Gill. InstituteofElectricalandElectronicsEngineers. Inc. 2008. P. 445−591.
- Инструкция «Контактная Сканирующая Емкостная Микросокпия» [Электронный ресурс] // Компания НТ МДТ [Официальный сайт].URLhttp://www.ntmdt.ru/support.html (дата обращения: 1.04.2015).
- Sacha G., Verdaguer A., Martines J., Ogletree D., Saenz J., Salmeron M. Effective tip radius in electrostatic force microscopy // Appl Phys Lett. 2005. 86:123101. doi:10.1063/1.1884764.