Технология получения галлия высокой чистоты из отходов полупроводникового производства
Аннотация
Изложены результаты исследований по разработке технологии переработки отходов галлия, отходов производства монокристаллов и пластин арсенида и фосфида галлия, а также эпитаксиальных структур и чипов светодиодных структур на их основе с целью получения высокочистого галлия.
Для цитирования
Козлов С.А., Сажин М.В., Петрухин И.О., Сидоров О.Л., Аганичев М.П., Потолоков Н.А. Технология получения галлия высокой чистоты из отходов полупроводникового производства // Наукоемкие технологии. 2003. № 2.