Article or book title, author's surname, DOI

Технология получения галлия высокой чистоты из отходов полупроводникового производства

Козлов С.А.1, Сажин М.В.2, Петрухин И.О.3, Сидоров О.Л.4, Аганичев М.П.5, Потолоков Н.А.6

research article

Abstract

Изложены результаты исследований по разработке технологии переработки отходов галлия, отходов производства монокристаллов и пластин арсенида и фосфида галлия, а также эпитаксиальных структур и чипов светодиодных структур на их основе с целью получения высокочистого галлия.

How to cite

Козлов С.А., Сажин М.В., Петрухин И.О., Сидоров О.Л., Аганичев М.П., Потолоков Н.А. Технология получения галлия высокой чистоты из отходов полупроводникового производства // Наукоемкие технологии. 2003. № 2.