Релаксационные излучательные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах

М.К. Самохвалов

Релаксационные излучательные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах

научная статья УДК 628.9.038 Страницы: 103-108

¹ д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Проектирование и технология электронных средств», Ульяновский государственный технический университет

Ключевые слова: тонкопленочная электролюминесцентная структура волны яркости активаторы сечение ударного возбуждения постоянная времени спада излучения

Аннотация

Исследована релаксация яркости излучения (волн яркости) в тонкопленочных электролюминесцентных структурах. Использована модель прямого ударного возбуждения активаторных центров в люминофоре. Получены соотношения, связывающие яркость свечения с условиями возбуждения излучательных структур. Показана возможность вычислить основные параметры, характеризующие процессы взаимодействия ускоренных электрическим полем носителей заряда с центром свечения в люминофоре и излучения фотонов возбужденными атомами, с помощью измерений волн яркости и активного тока в тонкопленочных структурах. Определены значения параметров активаторов (сечений ударного возбуждения и постоянных времени свечения) для различных активаторов в пленках сульфида цинка, легированных марганцем и фторидами тербия, самария и туллия.

Для цитирования

Самохвалов М.К. Релаксационные излучательные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // Радиотехника. 2018. № 6. С. 103–108.

Список источников

Самохвалов М.К. Элементы и устройства оптоэлектроники. Изд. 2-е, перераб. и доп. Ульяновск: УлГТУ. 2015. 223 с.
Technology. Thin Film Electroluminescent Displays. Beneq Products Oy. Finland. 2013. URL = http://lumineq.com/en/technology. Загл. с экрана.
EL-Тонкопленочные электролюминесцентные дисплеи. ЗАО «Фаворит - электронная компания». 2010. URL = http://www.favorit-ec.ru/files/catalog/lcd/EL_Catallogue.pdf. Загл. с экрана.
Георгобиани А.Н., Пипинис П.А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников. М.: Мир. 1994. 224 с.
Власенко Н.А. Тонкопленочные электролюминесцентные излучатели // Физические основы полупроводниковой электроники. Киев: Наукова думка. 1985. С. 254−268.
Самохвалов М.К. Тонкопленочные электролюминесцентные источники излучения. Ульяновск: УлГТУ. 1999. 117 с.
Забудский Е.Е., Самохвалов М.К. Моделирование временных характеристик яркости тонкопленочных электролюминесцентных структур // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. № 1. С. 56−60.
Самохвалов М.К., Тахтенкова М.О. Вольт-яркостные характеристики электролюминесцентных пленок ZnS:Mn // Известия ВУЗов. Сер. Электроника. 2009. № 5. С. 3−6.
Самохвалов М.К., Давыдов Р.Р., Хадиуллин Э.И. Определение сечения ударного возбуждения активаторов в люминофоре на основе измерений вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. № 8. С. 74−80.

[1] Самохвалов М.К. Элементы и устройства оптоэлектроники. Изд. 2-е, перераб. и доп. Ульяновск: УлГТУ. 2015. 223 с.

[2] Technology. Thin Film Electroluminescent Displays. Beneq Products Oy. Finland. 2013. URL = http://lumineq.com/en/technology. Загл. с экрана.

[3] EL-Тонкопленочные электролюминесцентные дисплеи. ЗАО «Фаворит - электронная компания». 2010. URL = http://www.favorit-ec.ru/files/catalog/lcd/EL_Catallogue.pdf. Загл. с экрана.

[4] Георгобиани А.Н., Пипинис П.А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников. М.: Мир. 1994. 224 с.

[5] Власенко Н.А. Тонкопленочные электролюминесцентные излучатели // Физические основы полупроводниковой электроники. Киев: Наукова думка. 1985. С. 254−268.

[6] Самохвалов М.К. Тонкопленочные электролюминесцентные источники излучения. Ульяновск: УлГТУ. 1999. 117 с.

[7] Забудский Е.Е., Самохвалов М.К. Моделирование временных характеристик яркости тонкопленочных электролюминесцентных структур // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. № 1. С. 56−60.

[8] Самохвалов М.К., Тахтенкова М.О. Вольт-яркостные характеристики электролюминесцентных пленок ZnS:Mn // Известия ВУЗов. Сер. Электроника. 2009. № 5. С. 3−6.

[9] Самохвалов М.К., Давыдов Р.Р., Хадиуллин Э.И. Определение сечения ударного возбуждения активаторов в люминофоре на основе измерений вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. № 8. С. 74−80.