Аналитическая оценка параметров оптоэлектронных устройств на основе ФТИРОС
- 1 д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Информационная безопасность автоматизированных систем», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А., Засл. деятель науки РФ, академик РАЕН
- 2 д.т.н., профессор, директор ООО НПП «НИКА-СВЧ» (г. Саратов), Засл. деятель науки РФ
- 3 к.ф.-м.н., доцент, кафедра инженерной физики, Саратовский государственный аграрный университет им. Н.И. Вавилова
Ключевые слова:
оптический индикаторфазовый переходэнергетический барьертермодинамикадиаграмма Карнокоэффициент полезного действияэнтропия
Аннотация
Проведено математическое моделирование термодинамических процессов для определения параметров оптических индикаторов на основе ФТИРОСа. Определена величина энергетического барьера для фазового перехода полупроводник-металл в материале ФТИРОС. C помощью диаграммы Карно определен коэффициент полезного действия и изменение энтропии этого материала при фазовом переходе полупроводник-металл.
Для цитирования
Байбурин В.Б., Мещанов В.П., Кузнецов В.А. Аналитическая оценка параметров оптоэлектронных устройств на основе ФТИРОС // Радиотехника. 2016. № 7. С. 21–24.
Список источников
- Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л.: Наука. 1979. 183 с.
- Мещанов В.П.,Алавердян С.А., Кабанов И.Н., Комаров В.В. Разработка и моделирование двумерных периодических структур для узкополосной фильтрации сигналов // Радиотехника. 2014. № 10. С. 9−14.
- Кацнельсон А.А., Олемской А.И. Микроскопическая теория неоднородных структур. М.: МГУ. 1987. 333 с.
- Рэди Дж. Действие мощного лазерного излучения. М.: Мир. 1970. 258 с.
- Иванов М.А. Зависимость температуры фазового перехода в VO2 от всестороннего давления // ФТТ.1964. № 6. С. 200−207.
- Ильинский А.В., Климов В.А., Ханин С.А., Шадрин Е.Б. Электрические и оптические явления в диоксиде ванадия // Экспериментальная физика. 2005. С. 100−120.