Явление образования антипараллельных доменов в сегнетоэлектриках в условиях быстрого неоднородного нагрева электромагнитным полем

Предсказано явление образования антипараллельных доменов в кристаллах сегнетоэлектриков при комбинированном воздействии быстрого неоднородного СВЧ нагрева и постоянного электрического смещения. Показано, что необходимая мощность генератора СВЧ определяется толщиной и коэффициентом теплопроводности сегнетоэлектрика, количеством зон, в которых предполагается инвертировать спонтанную поляризацию, приращением температуры, а также коэффициентом стоячей волны с учетом частичного согласования импеданса.