Явление образования антипараллельных доменов в сегнетоэлектриках в условиях быстрого неоднородного нагрева электромагнитным полем
Abstract
Предсказано явление образования антипараллельных доменов в кристаллах сегнетоэлектриков при комбинированном воздействии быстрого неоднородного СВЧ нагрева и постоянного электрического смещения. Показано, что необходимая мощность генератора СВЧ определяется толщиной и коэффициентом теплопроводности сегнетоэлектрика, количеством зон, в которых предполагается инвертировать спонтанную поляризацию, приращением температуры, а также коэффициентом стоячей волны с учетом частичного согласования импеданса.
How to cite
Крутов В.В, Засовин Э.А., Михалевич В.Г., Щука А.А. Явление образования антипараллельных доменов в сегнетоэлектриках в условиях быстрого неоднородного нагрева электромагнитным полем // Радиотехника. 2007. № 1.