Модель лавинного пробоя, применимая в сильно неоднородных электрических полях

Впервые показано, что при расчете лавинного пробоя в полевых транзисторах с субмикронной длиной затвора, в особенности в HEMT транзисторах, верные результаты можно получить лишь заменой обычно используемую зависимость коэффициентов ударной ионизации от амплитуды электрического поля аналогичными зависимостями от температур электронного и дырочного газов.