Название статьи или книги, фамилия автора, DOI

Особенности фотопроводимости квазиодномерного соединения TiS3

С.А. Никонов1, И.Г. Горлова2, С.Г. Зыбцев3, В.Я. Покровский4

научная статья УДК 538.91 Страницы: 35-38 doi.org/10.18127/j20700970-202102-08

  1. 1,2,3,4 ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва, Россия)

Аннотация

Постановка проблемы. Особенности линейной и нелинейной проводимости, магнетопроводимости, термоЭДС и эффекта Холла, наблюдаемые на вискерах TiS3, указывают на фазовые переходы в состояние с волной зарядовой плотности (ВЗП) в этом соединении, но прямых доказательств этого пока нет. Изучение фотопроводимости позволило бы больше узнать о природе данных фазовых переходов.

Цель. Определить отклик проводимости σ монокристаллических вискеров TiS3 на излучение в диапазоне от ближнего инфракрасного (ИК) до ближнего ультрафиолетового (УФ) при 4,2 < T < 300 K и найти особенности фотопроводимости в области температур предполагаемых фазовых переходов.

Результаты. Обнаружены особенности фотопроводимости TiS3 при температурах 50 и 15 К, при которых ранее наблюдались максимумы -dlnσ/d(1/T). Установлено, что снижение фотопроводимости при этих температурах указывает на изменение электронного спектра, связанное, возможно, с образованием ВЗП.

Практическая значимость. При разработке фотодатчиков на основе TiS3 необходимо изучить фотопроводимость в широкой области температур.

Поступила
29.04.2021
Одобрена
16.05.2021
Принята
27.05.2021

Для цитирования

Никонов С.А., Горлова И.Г., Зыбцев С.Г., Покровский В.Я. Особенности фотопроводимости квазиодномерного соединения TiS3 // Нелинейный мир. 2021. Т. 19. № 2. С. 35−38. DOI: https://doi.org/10.18127/j20700970-202102-08

Список источников
  1. Monceau P. Electronic crystals: an experimental overview // Adv. Phys. 2012. V. 61. P. 325−581.
  2. Island J.O. Electronics and optoelectronics of quasi-1D layered transition metal trichalcogenides // 2D Mater. 2017. V. 4.  P. 022003.
  3. Горлова И.Г., Покровский В.Я. Коллективный механизм проводимости в квазиодномерном соединении TiS3 // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 90. С. 320−324.