Магнитные бикристаллические переходы в плёнках La<sub>0.7</sub>Sr<sub>0.3</sub>MnO<sub>3</sub>
- 1 мл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 2 д.ф.-м.н., ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Аннотация
Исследованы транспортные и магнитные свойства бикристаллических переходов, созданных в тонких пленках манганита La0.7Sr0.3MnO3 путём использования наклонных бикристаллических подложек; показано, что при гелиевых температурах проводимость зависит от напряжения V по закону V 1/2, что предполагает существенный вклад, определяемый электрон-электронным взаимодействием, в величину электросопротивления перехода.
Для цитирования
Петржик А.М., Овсянников Г.А. Магнитные бикристаллические переходы в плёнках La<sub>0.7</sub>Sr<sub>0.3</sub>MnO<sub>3</sub> // Нелинейный мир. 2014. № 2. С. 26–27.
Список источников
- Петржик А.М., Овсянников Г.А., Демидов В.В., Шадрин А.В., Борисенко И.В. Электронный транспорт в манганитных бикристаллических контактах // ФТТ, 2013. Т. 55. Вып. 4. 697 с.
- Demidov V.V., Ovsyannikov G. A., Petrzhik A.M., Borisenko I.V., Shadrin A.V., GunnarssonR. Magnetic anisotropy in strained manganite films and bicrystal junctions // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. P. 163909.
- Гершензон М.Е., Губанков В.Н., ФалейМ.И. Туннельная спектроскопия электрон-электронного взаимодействия в неупорядоченных пленках алюминия // ЖЭТФ 1986. Т. 90. С. 2196.
- DartoraC.A., GabreraG.G. Ferromagnetic tunneling junctions at low voltages: Elastic versus inelastic scattering at T=0°K// J. Appl. Phys.2004. V. 95. R11.