Влияние кристаллической симметрии на переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках LaMnO<sub>3</sub>
- 1 студент 5-го курса, МФТИ; инженер, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 2 к.ф.-м.н., науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 3 д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Аннотация
Обнаружено, что тонкие пленки манганита LaMnO3 с объемными свойствами антиферромагнитного изолятора на подложках с кубической симметрией кристаллической структуры (SrTiO3, LaAlO3, (LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7) испытывают переход металл-изолятор в диапазоне температур 150-250 К. Исследованы зависимости параметров этого перехода от величины и симметрии механических напряжений, возникающих при эпитаксиальном росте пленки LaMnO3 на различных подложках, а также зависимость резистивных свойств пленок LaMnO3 на подложке SrTiO3 от их толщины. Показано, что возникающая металлическая проводимость распространяется на весь объем пленки вплоть до толщин 40 нм.
Для цитирования
Карпов М.А., Борисенко И.В., Овсянников Г.А. Влияние кристаллической симметрии на переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках LaMnO<sub>3</sub> // Нелинейный мир. 2013. № 2. С. 136–137.
Список источников
- Jonker G.H., Van Santen J.H. Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite structure // Physica. 1950. XVI(3). Р. 337-349.
- Chahara K., Ohno T., Kasai M., Kozono Y. Magnetoresistance in magnetic manganese oxide with intrinsic antiferromagnetic spin structure // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63(14). Р. 1990-1992.
- Murugavel P., Lee, J.H., Jong-Gul Yoon, Noh T.W. Chung J.-S., Heu M., Yoon S. Origin of metal-insulator transition temperature enhancement in underdoped lanthanum manganite films // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 1908.
- Nanda B.R.K., Satpathy S. Magnetic and orbital order in LaMnO3 under uniaxial strain: A model study // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. P. 174423.