Наблюдение немонотонной зависимости туннельного тока от расстояния между иглой СТМ и поверхностью Si(100)
- 1,2 студент, МФТИ; инженер, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
- 3 мл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН. С.В. Зайцев-Зотов - зав. лабораторией, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
Аннотация
Показана немонотонная зависимость туннельного тока от расстояния между иглой сканирующего туннельного микроскопа и поверхностью Si(001); проанализированы возможные причины возникновения такой зависимости и предложена модель, связывающая ее появление с емкостными эффектами вследствие изменения потенциала поверхности при приближении иглы СТМ
Для цитирования
Лахманская О.Ю., Федотов Н.И., Одобеско А.Б. Наблюдение немонотонной зависимости туннельного тока от расстояния между иглой СТМ и поверхностью Si(100) // Нелинейный мир. 2012. № 2. С. 86–88.
Список источников
- Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Курс теоретической физики. Изд. 6-е, испр. М.:ФИЗМАТЛИТ. 2004.
- Martyna Polok, Dmitry V. Fedorov, Alexei Bagrets, Peter Zahn, Ingrid Mertig Evaluation of conduction eigenchannels of an adatom probed by an STM tip // Phys. Rev. B. 2011. V. 83. P. 245426.