STM observation of nonmonotonic behavior of tunneling current as a function of tip-surface separation on Si(001)
- 1,2 студент, МФТИ; инженер, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
- 3 мл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН. С.В. Зайцев-Зотов - зав. лабораторией, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
Abstract
We observe non-monotonic dependencies of tunneling current on the distance between an STM tip and the surface of Si(001). We analyze a possible origin of such dependencies and propose a model associating their arising with a capacitance effect due to the change of the surface potential as the STM tip approaches the surface
How to cite
Лахманская О.Ю., Федотов Н.И., Одобеско А.Б. Наблюдение немонотонной зависимости туннельного тока от расстояния между иглой СТМ и поверхностью Si(100) // Нелинейный мир. 2012. № 2. С. 86–88.
References
- Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Курс теоретической физики. Изд. 6-е, испр. М.:ФИЗМАТЛИТ. 2004.
- Martyna Polok, Dmitry V. Fedorov, Alexei Bagrets, Peter Zahn, Ingrid Mertig Evaluation of conduction eigenchannels of an adatom probed by an STM tip // Phys. Rev. B. 2011. V. 83. P. 245426.