Гигантское магнитосопротивление многослойных гетероструктур на основе GaAs/AlGaAs с широким туннельным барьером
- 1 мл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 2 д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 3 проф., Лаборатория сильных магнитных полей, Гренобль, Франция
Аннотация
Измерено омическое сопротивление гетероструктур с широким, но низким туннельным барьером Al0.1Ga0.9As, разделяющим две квантовые ямы GaAs, в интервале магнитных полей В = 0...9 Тл, лежащих в плоскости границ раздела; выявлено, что при низких температурах (3 - 20 К) сопротивление возрастает в 10 раз в интервале полей В = 0-5 Тл и в 400 раз в интервале В = 0...9 Тл.
Для цитирования
Морозова Е.Н., Волков В.А., Портал Ж.К. Гигантское магнитосопротивление многослойных гетероструктур на основе GaAs/AlGaAs с широким туннельным барьером // Нелинейный мир. 2011. № 2. С. 107–108.
Список источников
- Eisenstein J. P., Gramila T. J., Pfeiffer L. N., and West K.W. Probing a two-dimensional Fermi surface by tunneling // Physical Review B. 1991. V.44. Р.6511.
- Smoliner J., Demmerle W., Berthold G., Gornik E., Weimann G. and Schlapp W. Momentum conservation in tunneling processes between barrier-separated 2D-electron-gas systems // Physical Review Letters. 1989. V.63. Р.2116.
- Berk Y., Kamenev A., Palevski A., Pfeiffer L.N. and West K.W. Resonance magnetoresistance of coupled quantum wells // Physical Review B. 1995. V.51. Р.2604.