Эпитаксиальный рост GaAs на подложках NiSb

С.А. Айтхожин; А.С. Артемов; П.С. Белоусов; М.А. Бобылев; Е.В. Каевицер; В.Е. Любченко; К.П. Петров; Ю.Ш. Темиров; С.Б. Фарафонов

Эпитаксиальный рост GaAs на подложках NiSb

С.А. Айтхожин¹, А.С. Артемов², П.С. Белоусов³, М.А. Бобылев⁴, Е.В. Каевицер⁵, В.Е. Любченко⁶, К.П. Петров⁷, Ю.Ш. Темиров⁸, С.Б. Фарафонов⁹

научная статья Страницы: 47-48

^1,5 к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
² д.ф.-м.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
³ к.х.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
⁴ мл. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
⁶ д.ф.-м.н., зав. лабораторией, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
^7,9 к.т.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
⁸ к.ф.-м.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

Ключевые слова: GaAs NiSb пленки эпитаксиальный рост

Аннотация

Исследованы условия выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия на поверхности монокристаллов соединения никель-сурьма - интерметаллида с металлическим типом проводимости, при этом учитывались следующие факторы: близость периодов кристаллических решеток арсенида галлия в плоскости (111) и антимонида никеля в плоскости (0001); доступность и дешевизна исходных компонентов - никеля и сурьмы - достаточно высокой чистоты; существование на диаграмме состояния только одного соединения NiSb.

Для цитирования

Айтхожин С.А., Артемов А.С., Белоусов П.С., Бобылев М.А., Каевицер Е.В., Любченко В.Е., Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Эпитаксиальный рост GaAs на подложках NiSb // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2015. № 1. С. 47–48.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи