Epitaxial growth of GaAs on NiSb
- 1,5 к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 2 д.ф.-м.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 3 к.х.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 4 мл. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 6 д.ф.-м.н., зав. лабораторией, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 7,9 к.т.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 8 к.ф.-м.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Abstract
In this work the growth conditions were studied for epitaxial gallium arsenide layers, grown at the surface of monocrystallic compound NiSb - intermetallide with metallic type of conductivity. Thin GaAs layers were grown with molecular-beam epitaxy, in the regimes, conventionally used for the homo-epitaxial GaAs structure fabrication. The investigation of GaAs film structure and morphology shows, that during the growth process it is modified from the textured polycrystal to more ordered layer with clearly seen point reflex system at the electronogramme.
How to cite
Айтхожин С.А., Артемов А.С., Белоусов П.С., Бобылев М.А., Каевицер Е.В., Любченко В.Е., Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Эпитаксиальный рост GaAs на подложках NiSb // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2015. № 1. С. 47–48.