Наноразмерные светоизлучающие кремниевые структуры SOI/N(Gе QDS-Si) в дисковых микрорезонаторах

С.М. Сергеев; М.В. Степихова; А.В. Новиков; В.А. Вербус; Е.В. Скороходов; Й. Шиллинг

Наноразмерные светоизлучающие кремниевые структуры SOI/N(Gе QDS-Si) в дисковых микрорезонаторах

С.М. Сергеев¹, М.В. Степихова², А.В. Новиков³, В.А. Вербус⁴, Е.В. Скороходов⁵, Й. Шиллинг⁶

научная статья Страницы: 43-46

^1,5 Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород)
^2,3,4 к.ф.-м.н., Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород)
⁶ д., профессор, Университет им. Мартина Лютера (Галле-Виттенберг, Германия)

Ключевые слова: дисковый резонатор микрорезонатор моды шепчущей галереи микро-фотолюминесценция светоизлучающие структуры SOI/Ge(Si)

Аннотация

Методом микро-фотолюминесценции исследованы дисковые резонаторы, сформированные на базе светоизлучающих наноразмерных структур SOI/n(Ge QDs-Si). Приведены результаты теоретического расчета развиваемых микрорезонаторов, определены значения их добротности. Показано, что для дисковых микрорезонаторов SOI/n(Ge QDs-Si) с диаметрами 30 и 40 мкм экспериментально полученные значения добротности составили Q ~ 300-500.

Для цитирования

Сергеев С.М., Степихова М.В., Новиков А.В., Вербус В.А., Скороходов Е.В., Шиллинг Й. Наноразмерные светоизлучающие кремниевые структуры SOI/N(Gе QDS-Si) в дисковых микрорезонаторах // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2014. № 4. С. 43–46.

Список источников

Vahala K.J. // Nature. 2003. V. 424. Р. 839.
Daldosso N., Pavesi L. // Laser & Photon. Rev. 2009. V. 3. № 6. Р. 508.
Krasilnik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., et al. // Semicond. Sci. Technol. 2011. V. 26.Р. 014029.
Lobanov D.N., Novikov A.V., Kudryavtsev K.E., et al. // Semiconductors. 2012. V. 46. № 11. Р. 1418.
Ghyselen B., Hartmann J.-M., Ernst T., Aulnette C., et al. // Solid-State Electron. 2004. V. 48. Р. 1285.
http://www.comsol.com (дата обращения: 25.12.2014)
Виноградов А.В.,. Ораевский А.Н. // Соросовский образовательный журнал. 2001. № 7(2). С. 96.

[1] Vahala K.J. // Nature. 2003. V. 424. Р. 839.

[2] Daldosso N., Pavesi L. // Laser & Photon. Rev. 2009. V. 3. № 6. Р. 508.

[3] Krasilnik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., et al. // Semicond. Sci. Technol. 2011. V. 26.Р. 014029.

[4] Lobanov D.N., Novikov A.V., Kudryavtsev K.E., et al. // Semiconductors. 2012. V. 46. № 11. Р. 1418.

[5] Ghyselen B., Hartmann J.-M., Ernst T., Aulnette C., et al. // Solid-State Electron. 2004. V. 48. Р. 1285.

[6] http://www.comsol.com (дата обращения: 25.12.2014)

[7] Виноградов А.В.,. Ораевский А.Н. // Соросовский образовательный журнал. 2001. № 7(2). С. 96.