Особенности технологической совместимости формирования слоистых гетероструктур на основе углеродных и перовскитных пленок

М.С. Афанасьев; П.А. Лучников; А.Ю. Митягин; А.А. Назаренко; Г.В. Чучева

Особенности технологической совместимости формирования слоистых гетероструктур на основе углеродных и перовскитных пленок

М.С. Афанасьев¹, П.А. Лучников², А.Ю. Митягин³, А.А. Назаренко⁴, Г.В. Чучева⁵

научная статья Страницы: 29-37

¹ к.т.н., ст. науч. сотрудник, Филиал института радиоэлектроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Московской обл.)
² зав. лабораторией, ст. науч. сотрудник, «НИИ «Информатика» МГТУ МИРЭА
³ д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, профессор, Филиал института радиоэлектроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Московской обл.)
⁴ аспирант, МГТУ МИРЭА
⁵ д.ф-м.н, зав. лабораторией, Филиал института радиоэлектроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Московской обл.)

Ключевые слова: гетероструктура перовскитная сегнетоэлектрическая пленка алмазоподобная пленка ВЧ-распыление защитное покрытие полипараксилилен

Аннотация

Рассмотрены технологические принципы получения слоистых гетероструктур на основе неорганических перовскитных и углеродсодержащих материалов. Определены оптимальные технологические условия совместимости формирования пленочных слоев гетероструктур. Показано, что в кислородсодержащей газовой среде при температуре подложки не превышающей 620 °С на ее поверхности формируется плёнка бария-титаната-стронция с устойчивой стехиометрической структурой, которая обладает сегнетоэлектрическими свойствами. Рассмотрены вопросы обеспечения защиты получаемых гетероструктур полимерными покрытиями на основе полипараксилиленов.

Для цитирования

Афанасьев М.С., Лучников П.А., Митягин А.Ю., Назаренко А.А., Чучева Г.В. Особенности технологической совместимости формирования слоистых гетероструктур на основе углеродных и перовскитных пленок // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2012. № 1. С. 29–37.

Список источников

Мухортов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Ростов на Дону: ЮНЦ РАН. 2008.
Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / под ред. А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2011.
Афанасьев М.С., Митягин А.Ю., Чучева Г.В. Перестраиваемая линия задержки СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2010. Т. 87. № 3. С. 3-6.4.
Иванов В.И., Лучников П.А., Сигов А.С. Ионные технологии в производстве изделий электронной техники / под ред. А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2010.
Афанасьев М.С., Иванов М.С. Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок BaxSr1-xTiO3 на различных подложках методом высокочастотного распыления // ФТТ. 2009. Т.51. № 7. С. 1259-1262.
Лучников П.А, Лучников А.П., Сигов А.С., Топоров Ю.П. Стабилизация структуры и релаксация электретного заряда в вакуумных пленках поли-n-ксилилена / Межфазная релаксация в полиматериалах // Материалы международной НТК «ПОЛИМАТЕРИАЛЫ - 2003» (25-29 ноября 2003 г., Москва). М.: МИРЭА. 2003. Ч. 1. С. 234-239.
Кардаш И.E., Пебалк А.В, Праведников A.H. Применение поли-п-ксилиленов // Химия и технология высокомолекулярных соединений. М.: ВИНИТИ АН СССР. Сер. Итоги науки и техники. 1984. Т. 19. С. 66-150.
Маилян К.А., Пебалк А.В., Мишина Е.И., Кардаш И.Е. Физико-механические свойства и морфология поверхности пленок поли-п-ксилилена // Высокомолекулярные соединения А. 1991. Т. 33. № 7. С. 1530.
Лущейкин Г.А., Пебалк А.В., Маилян К.А., Кардаш И.Е. Диэлектрические свойства и релаксационные явления в поли (хлор-паракси¬лилене) / Тонкие пленки и слоистые структуры // Материалы международной научно-технической конференции «ПЛЕНКИ-2002» (26-30 ноября 2002 г., Москва). М.: МИРЭА. 2002. Ч. 2. С. 58-50.

[1] Мухортов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Ростов на Дону: ЮНЦ РАН. 2008.

[2] Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / под ред. А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2011.

[3] Афанасьев М.С., Митягин А.Ю., Чучева Г.В. Перестраиваемая линия задержки СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2010. Т. 87. № 3. С. 3-6.4.

[4] Иванов В.И., Лучников П.А., Сигов А.С. Ионные технологии в производстве изделий электронной техники / под ред. А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2010.

[5] Афанасьев М.С., Иванов М.С. Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок BaxSr1-xTiO3 на различных подложках методом высокочастотного распыления // ФТТ. 2009. Т.51. № 7. С. 1259-1262.

[6] Лучников П.А, Лучников А.П., Сигов А.С., Топоров Ю.П. Стабилизация структуры и релаксация электретного заряда в вакуумных пленках поли-n-ксилилена / Межфазная релаксация в полиматериалах // Материалы международной НТК «ПОЛИМАТЕРИАЛЫ - 2003» (25-29 ноября 2003 г., Москва). М.: МИРЭА. 2003. Ч. 1. С. 234-239.

[7] Кардаш И.E., Пебалк А.В, Праведников A.H. Применение поли-п-ксилиленов // Химия и технология высокомолекулярных соединений. М.: ВИНИТИ АН СССР. Сер. Итоги науки и техники. 1984. Т. 19. С. 66-150.

[8] Маилян К.А., Пебалк А.В., Мишина Е.И., Кардаш И.Е. Физико-механические свойства и морфология поверхности пленок поли-п-ксилилена // Высокомолекулярные соединения А. 1991. Т. 33. № 7. С. 1530.

[9] Лущейкин Г.А., Пебалк А.В., Маилян К.А., Кардаш И.Е. Диэлектрические свойства и релаксационные явления в поли (хлор-паракси¬лилене) / Тонкие пленки и слоистые структуры // Материалы международной научно-технической конференции «ПЛЕНКИ-2002» (26-30 ноября 2002 г., Москва). М.: МИРЭА. 2002. Ч. 2. С. 58-50.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи