Латеральная проводимость в двуслойных молекулярных гетероструктурах на основе фталоцианинов

Е.С. Леонов; А.П. Лучников; Г.Л. Пахомов; В.В. Травкин

Латеральная проводимость в двуслойных молекулярных гетероструктурах на основе фталоцианинов

Е.С. Леонов¹, А.П. Лучников², Г.Л. Пахомов³, В.В. Травкин⁴

научная статья Страницы: 30-34

¹ к.х.н., заведующий лабораторией, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
² ст. научн. сотрудник, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет)
³ к.х.н., Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
⁴ аспирант, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Ключевые слова: фталоцианин гетероструктуры интерфейсы межмолекулярное взаимодействие вольт-амперные характеристики

Аннотация

Показано, что присутствие слоя из молекул Cl16PcCu, на поверхности плёнок PcCu (или PcMg) заметно влияет на параметры латеральных вольт-амперных характеристик (ВАХ), а присутствие акцепторных молекул Cl16PcCu на поверхности основного слоя изменяет механизм проводимости в основном слое структуры, при достаточно малой его толщине (<100 нм), а также экспериментально показана специфическая роль материала верхнего слоя с слоем Alq3 (трис-(8-гидроксихинолинато)алюминия, молекулы приблизительно сферической формы), который был осажден вместо Cl16PcCu на пленку PcCu при идентичных условиях.

Для цитирования

Леонов Е.С., Лучников А.П., Пахомов Г.Л., Травкин В.В. Латеральная проводимость в двуслойных молекулярных гетероструктурах на основе фталоцианинов // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2010. № 1. С. 30–34.

Список источников

Wang J., Wang H., Yan X. Heterojunction ambipolar organic transistors fabricated by a two-step vacuum-deposition process/ Wang J., Wang H., Yan X., Huang H., Jin D., Shi J., Tang Y., Yan D. // Adv. Func. Mat. 2006. V. 16. N. 6. P. 824-830.
Hu W., Matsumura M. Structure and thickness dependence of p-n heterojunction solar cells based on copper phthalocyanine and perylene pigments // J. Phys. D: Appl. Phys. 2004. V. 37. N. 10. P. 434 - 1438.
Gamoudi M., El Beqqali O., Benkaddour M.Diffusion in phthalocyanine thin film layers: study by AES, EELS, EPES and electrical measurements/ Gamoudi M., El Beqqali O., Benkaddour M., Al Sadoun M., Guillaud G., Miloua F., Khelifa B., El Ourzaz L., JardinC. // J. Phys. III France. 1991.
V. 1, N.12. P. 1993-2000.
Pakhomov L.G., Zakamov V.R., PakhomovG.L. Electrical measurements on two-layer phthalocyanine films // J. Mat. Sci. 2005. V. 40. N. 12. P. 3279 - 3281.
Pakhomov G.L., Leonov E.S., Klimov A.Yu. Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures // Microelectr. J. 2007. V. 38. N. 7. P. 682 - 685.
Gould R.D. Structure and electrical conduction properties of phthalocyanine thin films // Coord. Chem. Rew. 1996. V. 156. P. 237 - 274.
Kitamura M. Time-of-flight measurement for lateral carrier transport in organic thin films / Kitamura M., Imada T., Kako S., Arakawa Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 2004. V. 43. N. 4B.
P. 2326-2329.
Zhou Q., Gould R. D.The effects of oxygen doping and annealing on the surface and bulk electrical conductivity in planar copper phthalocyanine thin films for gas-sensing applications // Thin Solid Films. 1998. V. 317. N. 2. P. 432 - 435.
Schlettwein D. Electronic energy levels in individual molecules, thin films and organic heterojunctions of substituted phthalocyanines / Schlettwein, D., Hesse, K., Gruhn, N.E., Lee, A.P., Nebesny, K.W., Armstrong, N.R. //J. Phys. Chem.B. 2001. V. 105. N. 21. P. 4791 - 4800.
Силиньш Э. А., Курик М. В., Чапек В. Электронные процессы в органических молекулярных кристаллах. Явления локализации и поляризации. Рига: Зинатне. 1988. 329 с.

[1] Wang J., Wang H., Yan X. Heterojunction ambipolar organic transistors fabricated by a two-step vacuum-deposition process/ Wang J., Wang H., Yan X., Huang H., Jin D., Shi J., Tang Y., Yan D. // Adv. Func. Mat. 2006. V. 16. N. 6. P. 824-830.

[2] Hu W., Matsumura M. Structure and thickness dependence of p-n heterojunction solar cells based on copper phthalocyanine and perylene pigments // J. Phys. D: Appl. Phys. 2004. V. 37. N. 10. P. 434 - 1438.

[3] Gamoudi M., El Beqqali O., Benkaddour M.Diffusion in phthalocyanine thin film layers: study by AES, EELS, EPES and electrical measurements/ Gamoudi M., El Beqqali O., Benkaddour M., Al Sadoun M., Guillaud G., Miloua F., Khelifa B., El Ourzaz L., JardinC. // J. Phys. III France. 1991.
V. 1, N.12. P. 1993-2000.

[4] Pakhomov L.G., Zakamov V.R., PakhomovG.L. Electrical measurements on two-layer phthalocyanine films // J. Mat. Sci. 2005. V. 40. N. 12. P. 3279 - 3281.

[5] Pakhomov G.L., Leonov E.S., Klimov A.Yu. Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures // Microelectr. J. 2007. V. 38. N. 7. P. 682 - 685.

[6] Gould R.D. Structure and electrical conduction properties of phthalocyanine thin films // Coord. Chem. Rew. 1996. V. 156. P. 237 - 274.

[7] Kitamura M. Time-of-flight measurement for lateral carrier transport in organic thin films / Kitamura M., Imada T., Kako S., Arakawa Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 2004. V. 43. N. 4B.
P. 2326-2329.

[8] Zhou Q., Gould R. D.The effects of oxygen doping and annealing on the surface and bulk electrical conductivity in planar copper phthalocyanine thin films for gas-sensing applications // Thin Solid Films. 1998. V. 317. N. 2. P. 432 - 435.

[9] Schlettwein D. Electronic energy levels in individual molecules, thin films and organic heterojunctions of substituted phthalocyanines / Schlettwein, D., Hesse, K., Gruhn, N.E., Lee, A.P., Nebesny, K.W., Armstrong, N.R. //J. Phys. Chem.B. 2001. V. 105. N. 21. P. 4791 - 4800.

[10] Силиньш Э. А., Курик М. В., Чапек В. Электронные процессы в органических молекулярных кристаллах. Явления локализации и поляризации. Рига: Зинатне. 1988. 329 с.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи