Реализация структуры чувствительного элемента Холла
- 1 ген. директор ООО «МАГНИТЭКС СПБ» (Санкт-Петербург)
- 2 аспирант, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 3 студентка, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 4 к.ф.-м.н., доцент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 5 к.х.н., доцент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
Ключевые слова:
Гальваническое осаждениепреобразователь Холламагнетронное напылениекислые электролитышероховатость
Аннотация
Разработан технологический процесс изготовления кристаллов преобразователя Холла на основе эпитаксиальных гетероструктур InSb/GaAs.
Оптимизированы параметры процессов формирования топологии кристаллов с применением процессов вакуумного напыления и гальванического осаждения металлов.
Достигнуты параметры контактных слоев меди, отвечающие требованиям операций сборки приборов.
Для цитирования
Гусев В.И., Чжо А.Ч., Егорова О.Ю., Зайончковский В.С., Парамонов В.В. Реализация структуры чувствительного элемента Холла // Электромагнитные волны и электронные системы. 2019. № 1. С. 37–51. DOI: https://doi.org/DOI: 10.18127/j15604128-201901-07
Список источников
- Игуменов В.Т, Константинов В.М., Парамонов В.В. Полупроводниковые магниторезисторы на основе антимонида индия с магнитомягкими концентраторами магнитного потока // Материалы Междунар. НТК «Intermatic-2003». 9−12 июня 2003 г., Москва. М.: МГИРЭА. 2003. С. 202−203.
- Durov S., Mironov O.A., Mironov M., Igumenov V.T., Konstantinov V.M., Paramonov V.V., Whall T.E. Hooge mobility fluctuations of n-InSb magnetoresistors as a reference for accsess resistance LF-noise measurements of SiGe metamorphic HMOS FETs // Advanced Research Workshop. 14−16 August 2003. Brno. Czech Republic.
- Пат. РФ № 2054757 публикация патента: 20.02.1996. Гальваномагнитный преобразователь. Игуменов В.Т., Константинов В.М., Масюкова Г.В.
- Ковенский И.М., Поветкин В.В. Металловедение покрытий: Учебник для вузов. М.: «СПИ нтермет Инжиниринг». 1999. 296 с.
- https://zctc.ru/sections/cooper.