Влияние дислокаций на параметрические свойства полупроводниковых приборов
- 1 студент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 2 к.т.н., доцент, зам. зав. кафедрой «Материаловедение», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 3 д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Материаловедение», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
Аннотация
Рассмотрено влияние дефектов на свойства полупроводниковых элементов. Изучен процесс образования дислокаций. Исследованы структуры полупроводниковых кристаллов с разным уровнем механических напряжений. Проведена оценка влияния дис-локаций на электрофизические свойства полупроводниковых элементов.
Для цитирования
Бережанский И.Р., Адарчин С.А., Косушкин В.Г. Влияние дислокаций на параметрические свойства полупроводниковых приборов // Электромагнитные волны и электронные системы. 2016. № 10. С. 4–8.
Список источников
- Электронные свойства дислокаций в полупроводниках / Под ред. Ю.А. Осипьяна. М.: Эдиториал УРСС. 2000.
- Адарчин С.А., Косушкин В.Г., Максимова Е.А. Методика расчета величин упругих напряжений в МЭМС датчиков давления // Труды МГТУ № 587 «Методы исследования и проектирования сложных технических систем». М. 2004. С. 37-47.
- Адарчин С.А., Косушкин В.Г., Максимова Е.А. Механизмы деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления // Труды МГТУ № 587 «Методы исследования и проектирования сложных технических систем». М. 2004. С. 48-56.
- Казакевич Л.А. Лугаков П.Ф. Влияние дислокаций на электрофизические характеристики кремния // Электронная техника. Материалы. 1979. Вып. 12. С. 43-48.
- Шикина Ю.В. Шикин В.Б. Инверсия типа проводимости в пластически деформированных n-полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28. № 4. С. 675-680.
- Shikin V.B. Shikina Yu.V. Charged dislocations in semiconductor crystals // Physics Uspekhi. 1995. № 38(8). P. 845-875.