Характеристики маломощного однобитного полного сумматора на полностью обедненных КНИ КМОП нанотранзисторах

Н.В. Масальский

Характеристики маломощного однобитного полного сумматора на полностью обедненных КНИ КМОП нанотранзисторах

Н.В. Масальский¹

научная статья Страницы: 52-56

¹ к.ф.-м.наук, зав. сектором НИИСИ РАН

Ключевые слова: полностью обедненный КНИ нанотранзистор полный однобитный сумматор низкое напряжение питания

Аннотация

Проанализированы численно характеристики маломощного однобитного сумматора на полностью обедненных КМОП нанотранзисторах со структурой КНИ (кремний на изоляторе); исследованы зависимости задержки и мощности переключения от величины напряжения питания в диапазоне менее 1 В при разных значениях напряжения на обратном затворе транзисторов.

Для цитирования

Масальский Н.В. Характеристики маломощного однобитного полного сумматора на полностью обедненных КНИ КМОП нанотранзисторах // Электромагнитные волны и электронные системы. 2010. № 4. С. 52–56.

Список источников

Colinge, J.-P. Silicon on Insulator Technology: Materials to VLSI, Kluver Acad. Publ., Boston, Dordrecht, London, 1997.
Захаров С.М., Масальский Н.В. Моделирование характеристик логических элементов, выполненных на полностью обедненных КНИ КМОП нанотранзисторах // Электромагнитные волны и электронные системы. 2007. Т.12. № 10. С. 57-64.
Масальский Н.В. Полностью обедненные КМОП КНИ логические элементы для низковольтных применений // Микроэлектроника. 2008. Т. 37. №6. С. 470-480.
Kantabutra V. Designing optimum one-level carry-skip adders // IEEE Trans. on Comp. 1993.V. 42, No.6. Р.759-764.
Alioto M.; Palumbo G. Impact of Supply Voltage Variations on Full Adder Delay: Analysis and Comparison, Very Large Scale Integration (VLSI) Systems // IEEE Transactions 2006. V.14, Nо.12. Р. 1322 - 1335
Захаров С.М., Масальский Н.В., Шафигуллин М.М. Проблемы схемотехнического моделирования интегральных схем // Успехи современной радиоэлектроники. 2005. № 2. С. 43-50.
Goel S.; Kumar A.; Bayoumi M. A.Design of Robust, Energy-Efficient Full Adders for Deep-Submicrometer Design Using Hybrid-CMOS Logic Style, Very Large Scale Integration (VLSI) Systems // IEEE Transactions, 2006. V.14, Nо.12. Р. 1309 - 1321

[1] Colinge, J.-P. Silicon on Insulator Technology: Materials to VLSI, Kluver Acad. Publ., Boston, Dordrecht, London, 1997.

[2] Захаров С.М., Масальский Н.В. Моделирование характеристик логических элементов, выполненных на полностью обедненных КНИ КМОП нанотранзисторах // Электромагнитные волны и электронные системы. 2007. Т.12. № 10. С. 57-64.

[3] Масальский Н.В. Полностью обедненные КМОП КНИ логические элементы для низковольтных применений // Микроэлектроника. 2008. Т. 37. №6. С. 470-480.

[4] Kantabutra V. Designing optimum one-level carry-skip adders // IEEE Trans. on Comp. 1993.V. 42, No.6. Р.759-764.

[5] Alioto M.; Palumbo G. Impact of Supply Voltage Variations on Full Adder Delay: Analysis and Comparison, Very Large Scale Integration (VLSI) Systems // IEEE Transactions 2006. V.14, Nо.12. Р. 1322 - 1335

[6] Захаров С.М., Масальский Н.В., Шафигуллин М.М. Проблемы схемотехнического моделирования интегральных схем // Успехи современной радиоэлектроники. 2005. № 2. С. 43-50.

[7] Goel S.; Kumar A.; Bayoumi M. A.Design of Robust, Energy-Efficient Full Adders for Deep-Submicrometer Design Using Hybrid-CMOS Logic Style, Very Large Scale Integration (VLSI) Systems // IEEE Transactions, 2006. V.14, Nо.12. Р. 1309 - 1321

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи