Особенности спектра одноэлектронных состояний полупроводниковых и диэлектрических двумерных ковалентных и ионно-ковалентных структур, модифицированных введением локальных дефектов
Аннотация
Показано, как в рамках модели молекулярного кластера в форме расширенной элементарной ячейки и квантовохимической расчетной схемы MNDO с оптимизацией геометрии были изучены особенности энергетического спектра электронов двумерных ковалентных (ДКС) и ионно-ковалентных полупроводниковых и диэлектрических структур на основе угле-, кремний-, и германийводородов как химически чистых, так и модифицированных введением локальных дефектных групп; полученные результаты могут быть использованы для целенаправленного поиска материалов электронной техники с требуемыми электрофизическими характеристиками.
Для цитирования
Литинский А.О., Жуков С.С. Особенности спектра одноэлектронных состояний полупроводниковых и диэлектрических двумерных ковалентных и ионно-ковалентных структур, модифицированных введением локальных дефектов // Электромагнитные волны и электронные системы. 2004. № 2.
