Углеводородные алициклические нанотубулены как материалы электронной техники. Электронные состояния, обусловленные регулярными дефектами замещения
Аннотация
Показано, как в рамках модели молекулярного кластера с замыканием нескомпенсированных валентностей атомами водорода и полуэмпирической расчетной схемы MNDO с полной оптимизацией геометрии рассчитаны электронно-энергетические характеристики полиалициклических углеводородных нанотубуленов (как идеальных, так и модифицированных) введением регулярных (перпендикулярных и параллельных оси трубки) дефектных слоев; обсуждены особенности одноэлектронного спектра данного класса твердофазных соединений - возможных материалов электронной техники.
Для цитирования
Калинкин Д.П., Литинский А.О. Углеводородные алициклические нанотубулены как материалы электронной техники. Электронные состояния, обусловленные регулярными дефектами замещения // Электромагнитные волны и электронные системы. 2004. № 2.