Теоретический анализ массогабаритных характеристик и нелинейности при переходе от гибридных сборок к технологии монокристаллических плат
- 1 д.т.н., зам. гл. технолога по микроэлектронике, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
- 2 зам. начальника цеха микроэлектроники, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
- 3,4,5,6 инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
- 7 гл. технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
Аннотация
Выполнена оценка уменьшения габаритных размеров СВЧ приемопередающего модуля при переходе от гибридной сборки к технологии тонкопленочных пассивных элементов на многослойной керамической плате и сделан сравнительный анализ суммарной площади элементов, используемых в приемопередающем модуле, изготовленного по технологии гибридной сборки и по технологии монокристаллических плат с применением собственной интегральной пассивной элементной базы. Проведено сравнение нелинейности основных типов транзисторов. Представлены расчеты нелинейности на основе вольт-амперных характеристик транзисторов: MOS, BJT, HEMT, MESFET, MODFET и JFET. Для каждого из них вычислен параметр нелинейности IIP3, по которому производилось сравнение.
Для цитирования
Барон Ф.А., Галеев С.З., Зеленов Ф.В., Иванов А.Б., Коновалов С.О., Масюгин А.Н., Стреж А.В. Теоретический анализ массогабаритных характеристик и нелинейности при переходе от гибридных сборок к технологии монокристаллических плат // Успехи современной радиоэлектроники. 2017. № 12. С. 136–140.
Список источников
- Yuan Taur, Tak H. Ning Modern VLSI Devices. Cambridge University Press. 2013.
- Sigfrid Yngvesson Microwave Semiconductor Devices / Springer Science & Business Media. 1991.
- Behzad Razavi RF Microelectronics. Prentice Hall PTR. 1998.