Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO<sub>2</sub> и Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>
- 1,2 мл. науч. сотрудник, ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет»
Ключевые слова:
вольт-фарадная характеристикавольт-амперная характеристикаМДП-конденсаторметалл-диэлектрик-полупроводниктемпературный коэффициент емкости
Аннотация
Исследована термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4, изготовленных по аналогичным технологическим маршрутам. Проведены измерения вольт-фарадных характеристик на частоте 1 МГц и вольт-амперных характеристик конденсаторов при температурах от -60 до +125°С. Рассчитан температурный коэффициент емкости для исследованных образцов. Обнаружено, что при идентичной конструкции исследуемого образца более тер-мостабильными являются МДП-конденсаторы на основе SiO2. По вольт-амперным характеристикам для конденсаторов из Si3N4 определено максимальное рабочее напряжение ≈ 50 В.
Для цитирования
Олейник В.Л., Копьев В.В. Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO<sub>2</sub> и Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> // Успехи современной радиоэлектроники. 2016. № 11. С. 245–247.
Список источников
- Вольхин Ю.Н., Глущенко В.А., Дубровская А.А., Малиновский В.В., Серебренников А.А., Янковская Ю.В. Опыт разработки и применения малогабаритных прецизионных термостабильных конденсаторов СВЧ с изолирующими слоями из SiO2 и Ta2O5 для сверхширокополосных устройств // Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем: сб. докл. науч.-технич. конф. Омск: Изд-во ОмГТУ. 2008.
- The general properties of Si, Ge, SiGe, SiO2 and Si3N4. URL: http://www.virginiasemi.com/pdf/generalpropertiesSi62002.pdf (дата обращения 05.09.2016).
- Еремина В.Е., Агеева Л.М, Масленникова Я.Л. Выражение для расчета отбраковочного допуска на емкость конденсаторов с учетом температурного фактора // Труды международного симпозиума «Надежность и качество». Пенза: Изд-во ПГУ. 2011. Т. 2. С. 398-399.
- Ataseven T., Tataroglu A. Temperature-dependent dielectric properties of Au/Si3N4/n-Si (metal insulator semiconductor) structures // Chin. Phys. B. 2013. V. 22. № 11. P. 117310.