Фотолюминесцентная диагностика полупроводниковых транзисторных структур на основе арсенида галлия и его соединений

Методом фотолюминесцентной спектроскопии исследованы транзисторные квантовые структуры AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs различной конфигурации. Проведен расчет энергетического спектра электронных состояний в этих структурах в зависимости от их параметров. Теоретически и экспериментально показано, что увеличение степени легирования слабо влияет на энергию оптических переходов между первыми уровнями и значительно сильнее - на переходы с участием более высокоэнергетических уровней. На основе этого предложен неразрушающий метод определения концентрации двумерных электронов в МЛС. Определены оптимальные параметры ДКЯ для обеспечения туннельной прозрачности разделительного AlAs-барьера, необходимой для повышения подвижности электронов и улучшения транзисторных характеристик. Установлено, что толщина разделяющего барьера AlAs не должна превышать 20 и 15 - при ширине ям 65 и 130 - соответственно.