А.В. Войцеховский

2016

1. Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев Наноматериалы и наноструктуры - XXI век, №4 за 2016 г. С. 39-47