Parametres and technique of receiving of heat-absorbent materials for semiconductor device

M.V. Inyuhin; A.P. Korzhavyi; G.V.Prasitsky

Parametres and technique of receiving of heat-absorbent materials for semiconductor device

M.V. Inyuhin¹, A.P. Korzhavyi², G.V.Prasitsky³

research article Pages: 10-19

¹ Engineer, «Ekolyum-Voshod»
² Dr.Sc. (Eng), Professor, Bauman Moscow State Technical University, Kaluga Branch
³ Student, Bauman Moscow State Technical University, Kaluga Branch

Keywords: pressed and frame pseudo-alloys thermal factor of linear expansion heat-removing substrate the semi-conductor device

Abstract

On an example of pseudo-alloys «molybdenum-copper» theoretical bases and features of reception of heat-removing materials for semi-conductor components of devices with high degree of integration are described. The basic technological scheme and modes of manufacturing of elements from pseudo-alloys with the greatest possible heat-removing parameters are resulted.

How to cite

Инюхин М.В., Коржавый А.П., Прасицкий Г.В. Параметры и техника получения теплоотводящих материалов для полупроводниковых приборов // Наукоемкие технологии. 2014. № 2. С. 10–19.

References

Ланин В.Л., Ануфриев Л.П. Монтаж кристаллов IGBT-транзисторов // Силовая электроника. 2009. № 2. С. 94-99.
Пономарев В.А., Яранцев Н.В. Порошковые композиционные материалы для изделий электронной техники / под ред. А.П. Коржавого.М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2014. 352 с.
Полосы из псевдосплава на основе молибдена и меди // Технические условия ТУ 6365-021-07604787-2004.
Производство порошкового проката / Под ред. В.К. Сорокина. М.: Металлургиздат. 2002.
Справочник по пайке / под ред. С.Н. Лоцманова, И.Е. Петрунина, В.П. Фролова. М.: Машиностроение, 1975. - 412 с.
Gebauer, Charles L. Process of Producing Metal Bodies. Patent № 1,233,322 USА. Apr. 17, 1917.
Brush Wellman Inc. Process for Making Improved Copper/Tungsten Composites. Patent № 5,686,676 USА. Nov. 11, 1997.
Torrey Hills Technologies, LLC. Process for Making Copper Tungsten and Copper Molybdenum Composite Electronic Packaging Materials. Patent № 2010/0092327 USА. Apr. 15, 2010.
Gillette, Robert T. Welding Electrode. Patent № 1,539,810 USА. May 26, 1925.
Осинцев О.Е., Федоров В.Н. Медь и медные сплавы. Отечественные и зарубежные марки: Справочник. М.: Машиностроение. 2004.

[1] Ланин В.Л., Ануфриев Л.П. Монтаж кристаллов IGBT-транзисторов // Силовая электроника. 2009. № 2. С. 94-99.

[2] Пономарев В.А., Яранцев Н.В. Порошковые композиционные материалы для изделий электронной техники / под ред. А.П. Коржавого.М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2014. 352 с.

[3] Полосы из псевдосплава на основе молибдена и меди // Технические условия ТУ 6365-021-07604787-2004.

[4] Производство порошкового проката / Под ред. В.К. Сорокина. М.: Металлургиздат. 2002.

[5] Справочник по пайке / под ред. С.Н. Лоцманова, И.Е. Петрунина, В.П. Фролова. М.: Машиностроение, 1975. - 412 с.

[6] Gebauer, Charles L. Process of Producing Metal Bodies. Patent № 1,233,322 USА. Apr. 17, 1917.

[7] Brush Wellman Inc. Process for Making Improved Copper/Tungsten Composites. Patent № 5,686,676 USА. Nov. 11, 1997.

[8] Torrey Hills Technologies, LLC. Process for Making Copper Tungsten and Copper Molybdenum Composite Electronic Packaging Materials. Patent № 2010/0092327 USА. Apr. 15, 2010.

[9] Gillette, Robert T. Welding Electrode. Patent № 1,539,810 USА. May 26, 1925.

[10] Осинцев О.Е., Федоров В.Н. Медь и медные сплавы. Отечественные и зарубежные марки: Справочник. М.: Машиностроение. 2004.

Abstract

How to cite

Related articles